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DMG1012UW
MOSFET de puissance, Mode d'amélioration, Canal N, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,257 € |
| 10+ | 0,134 € |
| 100+ | 0,0667 € |
| 500+ | 0,0588 € |
| 1000+ | 0,0561 € |
| 5000+ | 0,0385 € |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG1012UW
Code Commande2061403
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..20V
Courant de drain Id1A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.3ohm
Type de boîtier de transistorSOT-323
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max500mV
Dissipation de puissance290mW
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le DMG1012UW est un MOSFET à mode d'enrichissement, canal N avec boîtier en plastique moulé et étain mat recuit sur des bornes en alliage 42 selon la norme MIL-STD-202.
- Faible résistance "ON"
- Faible tension de seuil de porte
- Faible capacitance d'entrée
- Vitesse de commutation rapide
- Faible fuite Entrée/Sortie
- Protection ESD jusqu'à 2KV
- Sans halogène, Produit vert
- Qualifié aux normes AEC-Q101 pour une haute fiabilité
- Sensibilité de condensation de niveau 1 conforme J-STD-020
- Indice d'inflammabilité UL94V-0
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
1A
Type de boîtier de transistor
SOT-323
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
290mW
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Vds max..
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.3ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
500mV
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000454