FM25V02A-G

La FM25V02A-G est une mémoire non volatile de 256Kbit dans un boîtier SOIC, 8 broches. La F-RAM est non volatile et effectue des lectures et des écritures similaires à la RAM. Elle assure une rétention de données fiable pendant 151 ans tout en éliminant les complexités et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par les Flash série, EEPROM ou d'autres mémoires non volatiles. Contrairement à la mémoire flash série et EEPROM, le FM25V02A effectue des opérations d'écriture à la vitesse du bus. Aucun retard d'écriture ne sont engagés. Les données sont écrites sur une matrice mémoire immédiatement après le transfert réussi de chaque octet vers le composant Le cycle de bus suivant peut commencer sans avoir besoin d'interroger les données. De plus, le produit offre une endurance d'écriture substantielle par rapport aux autres mémoires non volatiles. La FM25V02A est capable de prendre en charge 10^14 cycles de lecture/écriture, soit 100 millions de fois plus de cycles d'écriture qu'une EEPROM. Ces capacités rendent le FM25V02A idéal pour les applications de mémoire non volatile, nécessitant des écritures fréquentes ou rapides.

• Mémoire vive ferroélectrique de 256Kbit (organisée logiquement en 32K × 8)
• Processus ferroélectrique avancée haute fiabilité
• Interface Série très rapide (SPI)
• Faible consommation d'énergie de 2,5mA, courant actif 40MHz, 150µA (typ) de courant de veille
• Fonctionnement basse tension VDD = 2,7V à 3,6V
• Température industrielle de -40°C à +85°C