FM25L16B-G

La FM25L16B-G est une F-RAM série (SPI) de 4Mbits (2K × 8). Il s'agit d'une mémoire non volatile de 16Kbits utilisant un procédé ferroélectrique avancé. Une F-RAM ou mémoire ferroélectrique à accès aléatoire, non volatile et effectue des lectures et écritures similaires à une RAM. Elle assure une rétention de données fiable pendant 151 ans tout en éliminant les complexités et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par les Flash série, EEPROM ou d'autres mémoires non volatiles. Contrairement à la mémoire flash série et EEPROM, le FM25L16B effectue des opérations d'écriture à la vitesse du bus. Aucun retard d'écriture ne sont engagés. Les données sont écrites sur une matrice mémoire immédiatement après le transfert réussi de chaque octet vers le composant Le cycle de bus suivant peut commencer sans avoir besoin d'interroger les données. Les applications sont l'entraînement de moteur pour usage général avec des fréquences et tensions variables.

• Plage de tension de 2,7V à 3,6V, SPI F-RAM
• Mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 16Kbits organisée logiquement en 2K × 8
• Haute endurance 100 000 milliards de lectures/écritures, conservation des données pendant 151 ans
• Écriture No Delay™, processus ferroélectrique avancé, haute fiabilité
• Remplacement direct pour les flash série et EEPROM, prend en charge le mode SPI 0 (0,0) et le mode 3 (1,1)
• Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP actif à l'état bas)
• Protection logicielle à l'aide d'une instruction de désactivation d'écriture, protection logicielle par bloc pour 1/4, 1/2 ou la totalité du tableau
• Courant de veille VDD de 3µA max (actif à l'état bas, CS = VDD, toutes les autres entrées VSS ou VDD
• Capacité de la broche de sortie (SO) de 8pF max (TA=25°C, f=1MHz, VDD=VDD (typ))
• Boîtier SOIC 8 broches, plage de température de -40 à +85°C