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INFINEON FM25CL64B-G

NVRAM, FRAM, 64 Kbit, 8K x 8bits, SPI, SOIC

INFINEON FM25CL64B-G

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Réf. Fabricant:
FM25CL64B-G
Code Commande :
2077755
Gamme de produits
Ferroelectric Random Access Memory
Egalement appelé:
SP005654165, FM25CL64B-G
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La FM25CL64B-G est une mémoire SPI FRAM (Mémoire vive ferroélectrique) 256Kbits (8K × 8 bits) dans un boîtier SOIC 8 broches. Cette mémoire non volatile lit et écrit d'une façon similaire à une RAM. Elle assure une rétention de données fiable pendant 151 ans tout en éliminant les complexités et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par les Flash série, EEPROM ou d'autres mémoires non volatiles. Contrairement à la mémoire flash série et EEPROM, le FM25CL64B effectue des opérations d'écriture à la vitesse du bus. Aucun retard d'écriture ne sont engagés. Les données sont écrites sur une matrice mémoire immédiatement après le transfert de chaque octet avec succès vers le composant Le cycle de bus suivant peut commencer sans avoir besoin d'interroger les données. De plus, l'appareil offre une endurance d'écriture substantielle par rapport aux autres mémoires non volatiles. Le FM25CL64B offre des avantages substantiels aux utilisateurs d'EEPROM série ou flash en remplacement de matériel.
  • Haute endurance 100 trillions (10^14) lecture/écriture
  • Qualité automobile AEC-Q100
  • Processus ferroélectrique avancée haute fiabilité
  • Fréquence jusqu'à 20MHz
  • Schéma de protection en écriture sophistiqué
  • Faible consommation
  • Courant actif de 200µA à 1MHz
  • Courant de veille typique de 3µA
  • Fonctionnement basse tension de 2.7V à 3.65V
  • Température d'utilisation de -40°C à 85°C

Applications

Conception embarquée et Développement

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:
FRAM

:
64Kbit

:
8K x 8bits

:
SPI

:
-

:
SOIC

:
8Broche(s)

:
2.7V

:
3.65V

:
-40°C

:
85°C

:
Ferroelectric Random Access Memory

:
MSL 3 - 168 heures

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