CY7C1061GN30-10ZSXI

La CY7C1061GN30-10ZSXI est une RAM statique CMOS haute performance organisée en 1 048 576 mots par 16 bits. Pour écrire sur le périphérique, activer la puce Chip-Enable actif à l'état bas CE1 BAS et CE2 HAUT) et l'entrée d'activation d'écriture (WE) actif à l'état bas sur BAS. Si l'octet Enable BAS (BLE actif à l'état bas) est bas, les données des broches d'E/S (E/S0 à E/S7) sont écrites à l'emplacement spécifié sur les broches d'adresse (A0 à A19). Si l'octet Enable HAUT (BHE actif à l'état bas) est bas, les données des broches d'E/S (E/S8 à E/S15) sont écrites à l'emplacement spécifié sur les broches d'adresse (A0 à A19). Pour lire à partir du composant, prenez les valeurs Chip-Enable (actif-bas CE1 LOW et actif-bas CE2 HIGH) et Output Enable (OE) actif-bas sur BAS tout en forçant l'écriture Write-Enable (WE) actif-bas sur HAUT. Si Byte Low Enable (BLE) actif-bas est BAS, les données de l'emplacement mémoire spécifié par les broches d'adresse apparaîtront sur I/O0 à I/O7. Si Byte High Enable (BHE) est BAS, les données de la mémoire apparaîtront sur I/O8 à I/O15.

• Famille de mémoires SRAM asynchrones rapides, densité de 16Mbits, largeur de données 16 bits
• Technologie 65nm, tension de 2,2V à 3,6V, vitesse de 10ns, Activation double puce
• Conservation des données à 1,0V, mise hors tension automatique lors de la désélection
• Entrées et sorties compatibles TTL
• Extension de mémoire facile avec les fonctionnalités CE1 et CE2 active-bas
• Courant de fuite d'entrée de +1µA maxi à (GND < VI < VCC)
• Courant d'alimentation de fonctionnement VCC de 90mA typ. à (VCC = max, IOUT = 0mA, f = 100MHz)
• Capacité d'entrée de 10pF max. à (TA = 25°C, f = 1MHz, VCC = 3.3V)
• Courant de mise hors tension automatique CE typ 40mA entrées TTL à (max VCC, CE1 > VIH, CE2 < VIL)
• Plage de température industrielle de -40°C à +85°C, Boîtier TSOP, 54 broches