CY62167EV18LL-55BVXI

La CY62167EV18LL-55BVXI est une RAM statique CMOS haute performance organisée en 1M mots par 16 bits. Ce composant présente une conception de circuit avancée pour fournir un courant actif ultra faible. Ceci est idéal pour fournir une durée de vie de la batterie plus longue (MoBL®) dans les applications portables telles que les téléphones portables. Le composant dispose également d'une fonction de mise hors tension automatique qui réduit la consommation d'énergie de 99% lorsque les adresses ne changent pas. Placez le composant en mode veille lorsqu'il est désélectionné (actif-bas CE1 HAUT ou CE2 BAS ou les deux actif-bas BHE et actif-bas BLE sont HAUT). Les broches d'entrée ou de sortie (I/O0 à I/O15) sont placées dans un état haute impédance lorsque l'appareil est désélectionné (actif-bas CE1 HAUT ou CE2 BAS), les sorties sont désactivées (actif-bas OE HAUT), octet l'activation haute et l'activation d'octet bas sont désactivées (BHE actif-bas, BLE HAUT actif-bas), ou une opération d'écriture est active (CE1 BAS actif-bas, CE2 HAUT et WE BAS actif-bas).

• La plage VCC est de 1,8V typique, densité de 16Mbit, largeur de bus de 16, vitesse 55ns
• Extension de mémoire facile avec les fonctionnalités actif-bas CE1, actif-bas CE2 et actif-bas OE
• Mise hors tension automatique en cas de désélection,
• CMOS pour une vitesse et une puissance optimales
• Courant de fuite d'entrée de +1µA maxi à (GND < VI < VCC)
• Courant d'alimentation en fonctionnement VCC de 25mA typique à (f = fmax = 1/tRC)
• Courant de fuite de sortie de +1µA maximum à (GND < VO < VCC, sortie désactivée)
• Capacité d'entrée de 10pF max. à (TA = 25°C, f = 1MHz, VCC = VCC)
• Courant de mise hors tension automatique 1,5µA typ. pour les entrées CMOS à (CE1 actif bas > VCC – 0,2V ou CE2 < 0,2V)
• Plage de température industrielle de -40°C à +85°C, Boîtier VFBGA, 48 broches