CY62167ELL-45ZXI

La CY62167ELL-45ZXI est une RAM statique CMOS hautes performances organisée en mots de 1M par 16 bits/ mots 2M par 8 bits. Ce composant présente une conception de circuit avancée pour fournir un courant actif ultra faible. Il est idéal pour prolonger la durée de vie de la batterie (MoBL®) dans les applications portables. Ce composant dispose également d'une fonction de mise hors tension automatique qui réduit la consommation d'énergie lorsque les adresses ne basculent pas. Pour écrire sur le périphérique, activer la puce (actif à l'état bas CE1 BAS et CE2 HAUT) et l'entrée d'activation d'écriture (actif à l'état bas WE) BAS. Si l'octet Enable BAS (BLE actif à l'état bas) est bas, les données des broches d'E/S (E/S0 à E/S7) sont écrites à l'emplacement spécifié sur les broches d'adresse (A0 à A19). Si l'octet Enable HAUT (BHE actif à l'état bas) est bas, les données des broches d'E/S (E/S8 à E/S15) sont écrites à l'emplacement spécifié sur les broches d'adresse (A0 à A19).

• Plage de tension d'utilisation de 4,5V à 5,5V
• Extension de mémoire facile avec les fonctionnalités actif-bas CE1, actif-bas CE2 et actif-bas OE
• Mise hors tension automatique en cas de désélection, CMOS pour une vitesse et une puissance optimales
• Famille SRAM MoBL, densité de 16 Mbit, largeur de bus 16, technologie de processus 90nm
• Vitesse 45ns, capacité d'entrée 10pF max. à (TA = 25°C)
• Courant de fuite d'entrée de +1µA maxi à (GND < VI < VCC)
• Courant de fuite de sortie de +1µA maximum à (GND < VO < VCC, sortie désactivée)
• Courant d'alimentation en fonctionnement VCC de 25mA typique à (f = fmax = 1/tRC)
• Courant de mise hors tension automatique 1,5µA pour les entrées CMOS à (CE1 actif bas > VCC – 0,2V ou CE2 < 0,2V)
• Plage de température industrielle de -40°C à +85°C, Boîtier TSOP, 48 broches