CY62157EV30LL-45ZSXIT

La CY62157EV30LL-45ZSXIT est une RAM statique CMOS haute performance organisée en 512K mots par 16 bits. Ce composant présente une conception de circuit avancée pour fournir un courant actif ultra faible. Ceci est idéal pour fournir More Battery Life™ (MoBL®) dans les applications portables telles que les téléphones cellulaires. Le composant dispose également d'une fonction de mise hors tension automatique qui réduit considérablement la consommation d'énergie lorsque les adresses ne basculent pas. Placez le composant en mode veille lorsqu'il est désélectionné (actif-bas CE1 HAUT ou CE2 BAS ou les deux actif-bas BHE et actif-bas BLE sont HAUT). Les broches d'entrée ou de sortie (I/O0 à I/O15) sont placées dans un état haute impédance lorsque l'appareil est désélectionné (actif-bas CE1 HAUT ou CE2 BAS), les sorties sont désactivées (actif-bas OE HAUT), octet l'activation haute et l'activation d'octet bas sont désactivées (BHE actif-bas, BLE HAUT actif-bas), ou une opération d'écriture est active (CE1 BAS actif-bas, CE2 HAUT et WE BAS actif-bas). Les applications incluent les bâtiments intelligents et les onduleurs (UPS).

• Plage de tension d'utilisation de 2,20V à 3,60V
• Extension de mémoire facile avec les fonctionnalités actif-bas CE1, actif-bas CE2 et actif-bas OE
• Arrêt automatique quand désélectionné
• Semi-conducteur à oxyde métallique complémentaire (CMOS) pour une vitesse et une puissance optimales
• Courant standby de 2µA typique
• Densité 8 Mbits, largeur de bus × 16
• Niveau de vitesse 45ns
• Boîtier TSOP Type II, 44 broches
• Plage de température industrielle de -40°C à 85°C