CY15B104Q-SXI

La CY15B104Q-SXI est une F-RAM série (SPI) de 4Mbits (512K × 8). Il s'agit d'une mémoire non volatile de 4Mbits utilisant un procédé ferroélectrique avancé. Une F-RAM ou mémoire ferroélectrique à accès aléatoire, non volatile et effectue des lectures et écritures similaires à une RAM. Elle assure une rétention de données fiable pendant 151 ans tout en éliminant les complexités et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par les Flash série, EEPROM ou d'autres mémoires non volatiles. Contrairement à une mémoire FLASH série ou une EEPROM, elle effectue des opérations d'écriture à la vitesse du bus. Aucun retard d'écriture ne sont engagés. Les données sont écrites sur une matrice mémoire immédiatement après le transfert réussi de chaque octet vers le composant Le cycle de bus suivant peut commencer sans avoir besoin d'interroger les données. De plus, le produit offre une endurance d'écriture substantielle par rapport aux autres mémoires non volatiles. Les applications sont l'apport d'un tout nouveau style de vie et d'une toute nouvelle expérience de santé aux personnes connectées d'aujourd'hui, à l'électronique grand public et aux applications spatiales.

• Plage de tension de 2,0V à 3,6V, densité de 4Mbit, SPI F-RAM
• Mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 4 Mbits organisée logiquement en 512K × 8
• Haute endurance 100 000 milliards de lectures/écritures, conservation des données pendant 151 ans
• Écriture No Delay™, processus ferroélectrique avancé, haute fiabilité
• Remplacement direct pour les mémoire Flash série et EEPROM
• Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP actif à l'état bas)
• Protection logicielle à l'aide d'une instruction de désactivation d'écriture, protection logicielle par bloc pour 1/4, 1/2 ou la totalité du tableau
• Courant actif de 300µA à 1MHz, courant de veille VDD de 100µA typ. (TA = 25°C)
• Courant en mode veille de 3µA typ. (TA = 25°C)
• Boîtier SOIC 8 broches, plage de température de -40 à +85°C