S25FL256LAGNFV010

La S25FL256LAGNFV010 de Cypress Semiconductor est une mémoire flash FLV 256 Mo (32 Mo), 3V dans un boîtier WSON 8 broches. C'est un produit mémoire flash non-volatile utilisant la technologie de processus de porte flottante 65nm. Les interfaces série I/P et O/P SPI traditionnelles sont prises en charge, ainsi que les commandes optionnelles à deux bits (E/S double ou DIO), E/S quadruples (QIO) et Quad (QPI). DDR lit les commandes pour QIO et QPI qui transfèrent l'adresse et lisent les données sur les deux bords de l'horloge. L'architecture dispose d'un buffer de programmation de page qui permet de programmer jusqu'à 256 octets en une seule opération et fournit un secteur individuel de 4 Ko, un secteur demi-bloc de 32 Ko, secteur de bloc de 64 Ko ou effacement total de la puce. Il offre des densités élevées associées à la flexibilité et aux performances rapides requises par une variété d'applications mobiles ou embarquées. Fournit une solution de stockage idéale pour les systèmes avec un espace limité, des connexions de signal et de la puissance. Idéal pour le shadowing de code à la RAM, l'exécution de code directement et le stockage de données reprogrammables.

• En rafale, en continu, modes QPI, interface périphérique série (SPI) avec multi-E/S
• Largeur de bus X1/X2/X4, vitesse 133MHz, tension d'alimentation unique de 2,7V à 3,6V avec E/S CMOS
• 100 000 cycles de programmation/effacement minimum, 20 ans de rétention des données minimum
• Vitesse de lecture normale 6 Mo/s (50 MHz), vitesse de lecture rapide de 16,5 Mo/s (133 MHz)
• Protection par blocs hérités (plage blocs), protection individuelle et régionale
• Normal, rapide, double E/S, quadruple E/S, dualO, quadO, commandes d'E/S quadruple DDR
• Adressage étendu (Options 24 ou 32 bits)
• Paramètres flash détectables en série (SFDP) pour les informations de configuration
• Programme suspendre et reprendre, effacer suspendre/reprendre, région de sécurité 1024B/OTP
• Protection du registre d'état et de configuration, Plage de température -40°C à +105°C