Semiconducteurs - Composants discrets

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  Réf. Fabricant : Code Commande Fabricant / Description
Dispo Prix pour
Prix
Quantité
Polarité transistor Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo Dissipation de puissance Pd Courant de collecteur DC Gain en courant DC hFE Type de boîtier de transistor Nombre de broches Température de fonctionnement max.. Gamme de produit Normes Qualification Automobile
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
BC857BS,115
BC857BS,115 - Réseau de transistors bipolaires, À usage général, PNP, 45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SC-88

1081247

NEXPERIA - Réseau de transistors bipolaires, À usage général, PNP, 45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SC-88

Polarité transistor PNP
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 45V
Dissipation de puissance Pd 200mW

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NEXPERIA 

Réseau de transistors bipolaires, À usage général, PNP, 45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SC-88

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67 405 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

59 219 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 18 000 sera/seront disponible(s) le 24/05/19
  • 54 000 sera/seront disponible(s) le 24/05/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 07/10/19

    Polarité transistor PNP
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 45V
    Dissipation de puissance Pd 200mW
    Courant de collecteur DC -100mA
    Gain en courant DC hFE 200hFE
    Type de boîtier de transistor SC-88
    Nombre de broches 6Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    126 624

    5+ 0,237 € Prix pour 25+ 0,23 € Prix pour 100+ 0,0901 € Prix pour 250+ 0,0869 € Prix pour 500+ 0,0827 € Prix pour 1000+ 0,0466 € Prix pour 5000+ 0,0371 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1081247
    1081247RL en Mise en bobine

    5+ 0,237 € 25+ 0,23 € 100+ 0,0901 € 250+ 0,0869 € 500+ 0,0827 € 1000+ 0,0466 € 5000+ 0,0371 € Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    PNP 45V 200mW -100mA 200hFE SC-88 6Broche(s) 150°C - -
    AUIRFS4310
    AUIRFS4310 - Transistor MOSFET, Canal N, 130 A, 100 V, 0.0056 ohm, 10 V, 2 V

    1864544

    INFINEON - Transistor MOSFET, Canal N, 130 A, 100 V, 0.0056 ohm, 10 V, 2 V

    Polarité transistor Canal N
    Dissipation de puissance Pd 300W
    Type de boîtier de transistor TO-263

    + Voir toutes les présentations de produits

    INFINEON 

    Transistor MOSFET, Canal N, 130 A, 100 V, 0.0056 ohm, 10 V, 2 V

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    33 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 20/01/20

    Polarité transistor Canal N
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Dissipation de puissance Pd 300W
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Type de boîtier de transistor TO-263
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile AEC-Q101

    33

    1+ 4,86 € Prix pour 10+ 3,69 € Prix pour 100+ 3,20 € Prix pour

    Pièce

    1+ 4,86 € 10+ 3,69 € 100+ 3,20 €

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 1 Mult: 1
    Canal N - 300W - - TO-263 3Broche(s) 175°C - AEC-Q101
    IRFR9110PBF
    IRFR9110PBF - Transistor MOSFET, Canal P, 3.1 A, 100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V

    8649871

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, 3.1 A, 100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V

    Polarité transistor Canal P
    Dissipation de puissance Pd 25W
    Type de boîtier de transistor TO-252

    + Voir toutes les présentations de produits

    VISHAY 

    Transistor MOSFET, Canal P, 3.1 A, 100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V

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    755 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    77 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 27/05/19

    Polarité transistor Canal P
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Dissipation de puissance Pd 25W
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Type de boîtier de transistor TO-252
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    832

    5+ 0,768 € Prix pour 25+ 0,673 € Prix pour 100+ 0,52 € Prix pour 250+ 0,49 € Prix pour 500+ 0,449 € Prix pour 1000+ 0,435 € Prix pour 5000+ 0,42 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    5+ 0,768 € 25+ 0,673 € 100+ 0,52 € 250+ 0,49 € 500+ 0,449 € 1000+ 0,435 € 5000+ 0,42 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    Min: 5 Mult: 5
    Canal P - 25W - - TO-252 3Broche(s) 150°C - -
    S1M-E3/5AT
    S1M-E3/5AT - Diode de récupération standard, 1 kV, 1 A, Une, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A

    2335162

    VISHAY - Diode de récupération standard, 1 kV, 1 A, Une, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A

    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit S1M-E Series

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    VISHAY 

    Diode de récupération standard, 1 kV, 1 A, Une, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A

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    40 813 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    69 927 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 26/08/19

    Polarité transistor -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Dissipation de puissance Pd -
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit S1M-E Series
    Normes Qualification Automobile -

    110 740

    5+ 0,221 € Prix pour 25+ 0,215 € Prix pour 100+ 0,101 € Prix pour 250+ 0,0949 € Prix pour 500+ 0,0806 € Prix pour 1000+ 0,0695 € Prix pour 5000+ 0,0584 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    5+ 0,221 € 25+ 0,215 € 100+ 0,101 € 250+ 0,0949 € 500+ 0,0806 € 1000+ 0,0695 € 5000+ 0,0584 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - 2Broche(s) 150°C S1M-E Series -
    AUIRFS4610
    AUIRFS4610 - Transistor MOSFET, Canal N, 73 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 2 V

    1864545

    INFINEON - Transistor MOSFET, Canal N, 73 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 2 V

    Polarité transistor Canal N
    Dissipation de puissance Pd 190W
    Type de boîtier de transistor TO-263

    + Voir toutes les présentations de produits

    INFINEON 

    Transistor MOSFET, Canal N, 73 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 2 V

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    26 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 20/01/20

    Polarité transistor Canal N
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Dissipation de puissance Pd 190W
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Type de boîtier de transistor TO-263
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    26

    1+ 2,38 € Prix pour 10+ 1,87 € Prix pour 100+ 1,82 € Prix pour 250+ 1,79 € Prix pour 500+ 1,74 € Prix pour 1000+ 1,42 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    1+ 2,38 € 10+ 1,87 € 100+ 1,82 € 250+ 1,79 € 500+ 1,74 € 1000+ 1,42 € Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 1 Mult: 1
    Canal N - 190W - - TO-263 3Broche(s) 175°C - -
    IPB083N10N3GATMA1
    IPB083N10N3GATMA1 - Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 2.7 V

    2443432RL

    INFINEON - Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 2.7 V

    Polarité transistor Canal N
    Dissipation de puissance Pd 125W
    Type de boîtier de transistor TO-263

    + Voir toutes les présentations de produits

    INFINEON 

    Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 2.7 V

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    33 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 1 000 sera/seront disponible(s) le 13/04/19
  • 1 000 sera/seront disponible(s) le 18/05/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 30/03/20

    Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
    Polarité transistor Canal N
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Dissipation de puissance Pd 125W
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Type de boîtier de transistor TO-263
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    33

    150+ 0,839 € Prix pour 250+ 0,795 € Prix pour 500+ 0,703 € Prix pour 1000+ 0,554 € Prix pour 5000+ 0,543 € Prix pour

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

    5+ 1,20 € 25+ 1,03 € 100+ 0,839 € 250+ 0,795 € 500+ 0,703 € 1000+ 0,554 € 5000+ 0,543 € Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 150 Mult: 1
    Canal N - 125W - - TO-263 3Broche(s) 175°C - -
    IRF2804LPBF
    IRF2804LPBF - Transistor MOSFET, Canal N, 280 A, 40 V, 0.0018 ohm, 10 V, 4 V

    1298517

    INFINEON - Transistor MOSFET, Canal N, 280 A, 40 V, 0.0018 ohm, 10 V, 4 V

    Polarité transistor Canal N
    Dissipation de puissance Pd 330W
    Type de boîtier de transistor TO-263

    + Voir toutes les présentations de produits

    INFINEON 

    Transistor MOSFET, Canal N, 280 A, 40 V, 0.0018 ohm, 10 V, 4 V

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    15 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    61 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 16/03/20

    Polarité transistor Canal N
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Dissipation de puissance Pd 330W
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Type de boîtier de transistor TO-263
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    76

    1+ 2,33 € Prix pour 10+ 1,70 € Prix pour 100+ 1,65 € Prix pour 250+ 1,55 € Prix pour 500+ 1,44 € Prix pour 1000+ 1,20 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    1+ 2,33 € 10+ 1,70 € 100+ 1,65 € 250+ 1,55 € 500+ 1,44 € 1000+ 1,20 € Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 1 Mult: 1
    Canal N - 330W - - TO-263 3Broche(s) 175°C - -
    BZV55-C24,115
    BZV55-C24,115 - Diode simple Zener, 24 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 Broche(s), 200 °C

    1097190

    NEXPERIA - Diode simple Zener, 24 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 Broche(s), 200 °C

    Dissipation de puissance Pd 500mW
    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 200°C

    + Voir toutes les présentations de produits

    NEXPERIA 

    Diode simple Zener, 24 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 Broche(s), 200 °C

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    7 713 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    5 132 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 27/05/19

    Polarité transistor -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Dissipation de puissance Pd 500mW
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 200°C
    Gamme de produit BZV55 Series
    Normes Qualification Automobile -

    12 845

    5+ 0,176 € Prix pour 25+ 0,172 € Prix pour 100+ 0,0578 € Prix pour 250+ 0,0462 € Prix pour 500+ 0,0368 € Prix pour 1000+ 0,0273 € Prix pour 5000+ 0,0242 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1097190
    1097190RL en Mise en bobine

    5+ 0,176 € 25+ 0,172 € 100+ 0,0578 € 250+ 0,0462 € 500+ 0,0368 € 1000+ 0,0273 € 5000+ 0,0242 € Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - 500mW - - - 2Broche(s) 200°C BZV55 Series -
    BAS28,215
    BAS28,215 - Diode signaux faibles, Isolée double, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A

    1081185

    NEXPERIA - Diode signaux faibles, Isolée double, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A

    Nombre de broches 4Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit BAS28 Series

    + Voir toutes les présentations de produits

    NEXPERIA 

    Diode signaux faibles, Isolée double, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    824 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 28/10/19

    Polarité transistor -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Dissipation de puissance Pd -
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 4Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit BAS28 Series
    Normes Qualification Automobile -

    824

    5+ 0,232 € Prix pour 50+ 0,168 € Prix pour 100+ 0,104 € Prix pour 500+ 0,0676 € Prix pour 1500+ 0,0572 € Prix pour

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1081185
    1081185RL en Mise en bobine
    2336739 en Bobine

    5+ 0,232 € 50+ 0,168 € 100+ 0,104 € 500+ 0,0676 € 1500+ 0,0572 €

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - 4Broche(s) 150°C BAS28 Series -
    FCD4N60TM
    FCD4N60TM - Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

    1324776

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

    Polarité transistor Canal N
    Dissipation de puissance Pd 50W
    Type de boîtier de transistor TO-252

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    9 135 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    14 856 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 2 500 sera/seront disponible(s) le 31/08/19
  • 5 000 sera/seront disponible(s) le 06/04/19
  • 2 500 sera/seront disponible(s) le 26/10/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 23/12/19

    Polarité transistor Canal N
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Dissipation de puissance Pd 50W
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Type de boîtier de transistor TO-252
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    23 991

    5+ 1,06 € Prix pour 25+ 0,962 € Prix pour 100+ 0,735 € Prix pour 250+ 0,693 € Prix pour 500+ 0,651 € Prix pour 1000+ 0,455 € Prix pour 5000+ 0,446 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1324776
    1324776RL en Mise en bobine

    5+ 1,06 € 25+ 0,962 € 100+ 0,735 € 250+ 0,693 € 500+ 0,651 € 1000+ 0,455 € 5000+ 0,446 € Plus de tarifs

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    Canal N - 50W - - TO-252 3Broche(s) 150°C - -
    NGTB45N60S1WG
    NGTB45N60S1WG - Transistor simple IGBT, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Broche(s)

    2492860

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor simple IGBT, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Broche(s)

    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 600V
    Dissipation de puissance Pd 300W
    Courant de collecteur DC 90A

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor simple IGBT, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Broche(s)

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    1 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

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    Polarité transistor -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 600V
    Dissipation de puissance Pd 300W
    Courant de collecteur DC 90A
    Gain en courant DC hFE -
    Type de boîtier de transistor TO-247
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    1

    1+ 3,86 € Prix pour 10+ 2,93 € Prix pour 100+ 2,54 € Prix pour

    Pièce

    1+ 3,86 € 10+ 2,93 € 100+ 2,54 €

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    - 600V 300W 90A - TO-247 3Broche(s) 175°C - -
    HGTG27N120BN
    HGTG27N120BN - Transistor simple IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Broche(s)

    1470994

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor simple IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Broche(s)

    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 1.2kV
    Dissipation de puissance Pd 500W
    Courant de collecteur DC 72A

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor simple IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Broche(s)

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    21 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

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    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 10/06/19

    Polarité transistor -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 1.2kV
    Dissipation de puissance Pd 500W
    Courant de collecteur DC 72A
    Gain en courant DC hFE -
    Type de boîtier de transistor TO-247
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    704

    1+ 6,56 € Prix pour 10+ 4,83 € Prix pour 100+ 4,30 € Prix pour 250+ 3,76 € Prix pour 500+ 3,38 € Prix pour 1000+ 2,84 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    1+ 6,56 € 10+ 4,83 € 100+ 4,30 € 250+ 3,76 € 500+ 3,38 € 1000+ 2,84 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    - 1.2kV 500W 72A - TO-247 3Broche(s) 150°C - -
    Z0409MF 1AA2
    Z0409MF 1AA2 - Triac, 600 V, 4 A, TO-202, 10 mA, 1.3 V

    2629732

    STMICROELECTRONICS - Triac, 600 V, 4 A, TO-202, 10 mA, 1.3 V

    Tension Vdrm 600V
    Courant, It efficace 4A
    Type de boîtier de Triac TO-202

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    STMICROELECTRONICS 

    Triac, 600 V, 4 A, TO-202, 10 mA, 1.3 V

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    2 839 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 12/08/19

    Tension Vdrm 600V
    Courant, It efficace 4A
    Type de boîtier de Triac TO-202
    Courant Max de déclenchement de Gate (QI), Igt 10mA
    Tension, Vgt 1.3V
    Pic de Puissance Pgm de porte logique -
    Courant Itsm (50Hz) 20A
    Courant max. - Tenu (lh) 10mA
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 125°C
    Gamme de produit Z04 Series

    2 839

    5+ 0,534 € Prix pour 25+ 0,491 € Prix pour 100+ 0,426 € Prix pour 250+ 0,425 € Prix pour 500+ 0,424 € Prix pour 1000+ 0,297 € Prix pour 5000+ 0,289 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    5+ 0,534 € 25+ 0,491 € 100+ 0,426 € 250+ 0,425 € 500+ 0,424 € 1000+ 0,297 € 5000+ 0,289 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    - - - - - - 3Broche(s) 125°C Z04 Series -
    BC860C,215
    BC860C,215 - Transistor simple bipolaire (BJT), PNP, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE

    1081249

    NEXPERIA - Transistor simple bipolaire (BJT), PNP, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE

    Polarité transistor PNP
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 45V
    Dissipation de puissance Pd 250mW

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    NEXPERIA 

    Transistor simple bipolaire (BJT), PNP, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE

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    27 359 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    47 940 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 12 000 sera/seront disponible(s) le 27/10/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 23/12/19

    Polarité transistor PNP
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 45V
    Dissipation de puissance Pd 250mW
    Courant de collecteur DC 100mA
    Gain en courant DC hFE 420hFE
    Type de boîtier de transistor SOT-23
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    75 299

    5+ 0,243 € Prix pour 25+ 0,236 € Prix pour 100+ 0,0836 € Prix pour

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1081249
    1081249RL en Mise en bobine

    5+ 0,243 € 25+ 0,236 € 100+ 0,0836 €

    Article restreint
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    Min: 5 Mult: 5
    PNP 45V 250mW 100mA 420hFE SOT-23 3Broche(s) 150°C - -
    IRFU9120PBF
    IRFU9120PBF - Transistor MOSFET, Canal P, 5.6 A, -100 V, 0.6 ohm, -10 V, -4 V

    8650136

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, 5.6 A, -100 V, 0.6 ohm, -10 V, -4 V

    Polarité transistor Canal P
    Dissipation de puissance Pd 42W
    Type de boîtier de transistor TO-251AA

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    VISHAY 

    Transistor MOSFET, Canal P, 5.6 A, -100 V, 0.6 ohm, -10 V, -4 V

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    45 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    2 610 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 27/05/19

    Polarité transistor Canal P
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Dissipation de puissance Pd 42W
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Type de boîtier de transistor TO-251AA
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    2 655

    5+ 1,44 € Prix pour 25+ 1,32 € Prix pour 100+ 1,01 € Prix pour 250+ 0,946 € Prix pour 500+ 0,882 € Prix pour 1000+ 0,681 € Prix pour 5000+ 0,657 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    5+ 1,44 € 25+ 1,32 € 100+ 1,01 € 250+ 0,946 € 500+ 0,882 € 1000+ 0,681 € 5000+ 0,657 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    Canal P - 42W - - TO-251AA 3Broche(s) 150°C - -
    IPD50P04P4L11ATMA1
    IPD50P04P4L11ATMA1 - Transistor MOSFET, Canal P, -50 A, -40 V, 0.0082 ohm, -10 V, -1.7 V

    2443434

    INFINEON - Transistor MOSFET, Canal P, -50 A, -40 V, 0.0082 ohm, -10 V, -1.7 V

    Polarité transistor Canal P
    Dissipation de puissance Pd 58W
    Type de boîtier de transistor TO-252

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    INFINEON 

    Transistor MOSFET, Canal P, -50 A, -40 V, 0.0082 ohm, -10 V, -1.7 V

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    1 379 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    23 897 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 5 000 sera/seront disponible(s) le 17/08/19
  • 2 500 sera/seront disponible(s) le 17/10/19
  • 2 500 sera/seront disponible(s) le 08/06/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 04/11/19

    Polarité transistor Canal P
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Dissipation de puissance Pd 58W
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Type de boîtier de transistor TO-252
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile AEC-Q101

    25 276

    5+ 0,778 € Prix pour 25+ 0,598 € Prix pour 100+ 0,425 € Prix pour 250+ 0,387 € Prix pour 500+ 0,349 € Prix pour 1000+ 0,314 € Prix pour 5000+ 0,308 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    5+ 0,778 € 25+ 0,598 € 100+ 0,425 € 250+ 0,387 € 500+ 0,349 € 1000+ 0,314 € 5000+ 0,308 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    Min: 5 Mult: 5
    Canal P - 58W - - TO-252 3Broche(s) 175°C - AEC-Q101
    FCD4N60TM
    FCD4N60TM - Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

    1324776RL

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

    Polarité transistor Canal N
    Dissipation de puissance Pd 50W
    Type de boîtier de transistor TO-252

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    9 135 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    14 856 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 2 500 sera/seront disponible(s) le 31/08/19
  • 5 000 sera/seront disponible(s) le 06/04/19
  • 2 500 sera/seront disponible(s) le 26/10/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 23/12/19

    Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
    Polarité transistor Canal N
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Dissipation de puissance Pd 50W
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Type de boîtier de transistor TO-252
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    23 991

    10+ 1,06 € Prix pour 25+ 0,962 € Prix pour 100+ 0,735 € Prix pour 250+ 0,693 € Prix pour 500+ 0,651 € Prix pour 1000+ 0,455 € Prix pour 5000+ 0,446 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Mise en bobine
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1324776RL
    1324776 en Bandes découpées
    Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

    5+ 1,06 € 25+ 0,962 € 100+ 0,735 € 250+ 0,693 € 500+ 0,651 € 1000+ 0,455 € 5000+ 0,446 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    Min: 10 Mult: 5
    Canal N - 50W - - TO-252 3Broche(s) 150°C - -
    VS-36MB80A
    VS-36MB80A - Diode de redressement de pont, Monophasé, 800 V, 35 A, Module, 1.14 V, 4 Broche(s)

    9099018

    VISHAY - Diode de redressement de pont, Monophasé, 800 V, 35 A, Module, 1.14 V, 4 Broche(s)

    Nombre de broches 4Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit VS-36 Series

    + Voir toutes les présentations de produits

    VISHAY 

    Diode de redressement de pont, Monophasé, 800 V, 35 A, Module, 1.14 V, 4 Broche(s)

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    2 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    52 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 08/07/19

    Polarité transistor -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Dissipation de puissance Pd -
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 4Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit VS-36 Series
    Normes Qualification Automobile -

    54

    1+ 6,57 € Prix pour 10+ 3,41 € Prix pour 100+ 3,34 € Prix pour 250+ 3,27 € Prix pour 500+ 3,21 € Prix pour 1000+ 3,14 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    1+ 6,57 € 10+ 3,41 € 100+ 3,34 € 250+ 3,27 € 500+ 3,21 € 1000+ 3,14 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    Min: 1 Mult: 1
    - - - - - - 4Broche(s) 150°C VS-36 Series -
    PMEG6030EP,115
    PMEG6030EP,115 - Redresseur Schottky, 60 V, 3 A, Une, SOD-128, 2 Broche(s), 530 mV

    1829207

    NEXPERIA - Redresseur Schottky, 60 V, 3 A, Une, SOD-128, 2 Broche(s), 530 mV

    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit PMEG6 Series

    + Voir toutes les présentations de produits

    NEXPERIA 

    Redresseur Schottky, 60 V, 3 A, Une, SOD-128, 2 Broche(s), 530 mV

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    25 957 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 24 000 sera/seront disponible(s) le 18/04/19
  • 9 000 sera/seront disponible(s) le 30/05/19
  • 6 000 sera/seront disponible(s) le 24/07/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 05/08/19

    Polarité transistor -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Dissipation de puissance Pd -
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit PMEG6 Series
    Normes Qualification Automobile -

    25 957

    5+ 0,433 € Prix pour 25+ 0,254 € Prix pour 100+ 0,219 € Prix pour 250+ 0,21 € Prix pour 500+ 0,20 € Prix pour 1000+ 0,153 € Prix pour 5000+ 0,15 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1829207
    1829207RL en Mise en bobine

    5+ 0,433 € 25+ 0,254 € 100+ 0,219 € 250+ 0,21 € 500+ 0,20 € 1000+ 0,153 € 5000+ 0,15 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - 2Broche(s) 150°C PMEG6 Series -
    TIP42C
    TIP42C - Transistor simple bipolaire (BJT), À usage général, PNP, -100 V, 3 MHz, 65 W, -6 A, 15 hFE

    1574342

    MULTICOMP - Transistor simple bipolaire (BJT), À usage général, PNP, -100 V, 3 MHz, 65 W, -6 A, 15 hFE

    Polarité transistor PNP
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -100V
    Dissipation de puissance Pd 65W

    + Voir toutes les présentations de produits

    MULTICOMP 

    Transistor simple bipolaire (BJT), À usage général, PNP, -100 V, 3 MHz, 65 W, -6 A, 15 hFE

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    2 468 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 1 127 sera/seront disponible(s) le 31/03/19
  • 1 000 sera/seront disponible(s) le 06/06/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 15/07/19

    Polarité transistor PNP
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -100V
    Dissipation de puissance Pd 65W
    Courant de collecteur DC -6A
    Gain en courant DC hFE 15hFE
    Type de boîtier de transistor TO-220
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    2 468

    5+ 1,39 € Prix pour 25+ 1,12 € Prix pour 100+ 0,797 € Prix pour 250+ 0,558 € Prix pour 500+ 0,398 € Prix pour 1000+ 0,349 € Prix pour 5000+ 0,31 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    5+ 1,39 € 25+ 1,12 € 100+ 0,797 € 250+ 0,558 € 500+ 0,398 € 1000+ 0,349 € 5000+ 0,31 € Plus de tarifs

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    PNP -100V 65W -6A 15hFE TO-220 3Broche(s) 150°C - -
    BZX84C3V3LT1G
    BZX84C3V3LT1G - Diode simple Zener, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 Broche(s), 150 °C

    1651583

    ON SEMICONDUCTOR - Diode simple Zener, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 Broche(s), 150 °C

    Dissipation de puissance Pd 225mW
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Diode simple Zener, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 Broche(s), 150 °C

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    219 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

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  • 18 000 sera/seront disponible(s) le 27/11/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 23/12/19

    Polarité transistor -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Dissipation de puissance Pd 225mW
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit BZX84CxxxLT1G Series
    Normes Qualification Automobile AEC-Q101

    37 472

    5+ 0,124 € Prix pour 50+ 0,119 € Prix pour 100+ 0,0428 € Prix pour 500+ 0,0263 € Prix pour 1500+ 0,0253 € Prix pour

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1651583
    1651583RL en Mise en bobine
    2317764 en Bobine

    5+ 0,124 € 50+ 0,119 € 100+ 0,0428 € 500+ 0,0263 € 1500+ 0,0253 €

    Article restreint
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    - - 225mW - - - 3Broche(s) 150°C BZX84CxxxLT1G Series AEC-Q101
    IRF7240TRPBF
    IRF7240TRPBF - Transistor MOSFET, Canal P, -10.5 A, -40 V, 0.015 ohm, -10 V, -3 V

    2468000

    INFINEON - Transistor MOSFET, Canal P, -10.5 A, -40 V, 0.015 ohm, -10 V, -3 V

    Polarité transistor Canal P
    Dissipation de puissance Pd 2.5W
    Type de boîtier de transistor SOIC

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    INFINEON 

    Transistor MOSFET, Canal P, -10.5 A, -40 V, 0.015 ohm, -10 V, -3 V

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    1 119 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    7 157 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 20/01/20

    Polarité transistor Canal P
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Dissipation de puissance Pd 2.5W
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Type de boîtier de transistor SOIC
    Nombre de broches 8Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    8 276

    5+ 0,909 € Prix pour 25+ 0,773 € Prix pour 100+ 0,682 € Prix pour 250+ 0,637 € Prix pour 500+ 0,591 € Prix pour 1000+ 0,574 € Prix pour 5000+ 0,556 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :2468000
    2468000RL en Mise en bobine

    5+ 0,909 € 25+ 0,773 € 100+ 0,682 € 250+ 0,637 € 500+ 0,591 € 1000+ 0,574 € 5000+ 0,556 € Plus de tarifs

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    Canal P - 2.5W - - SOIC 8Broche(s) 150°C - -
    SPP04N60C3XKSA1
    SPP04N60C3XKSA1 - Transistor MOSFET, Canal N, 4.5 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V

    2306532

    INFINEON - Transistor MOSFET, Canal N, 4.5 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V

    Polarité transistor Canal N
    Dissipation de puissance Pd 50W
    Type de boîtier de transistor TO-220

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    INFINEON 

    Transistor MOSFET, Canal N, 4.5 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V

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    90 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    382 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 30/03/20

    Polarité transistor Canal N
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Dissipation de puissance Pd 50W
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Type de boîtier de transistor TO-220
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit CoolMOS Series
    Normes Qualification Automobile -

    472

    5+ 1,50 € Prix pour 25+ 1,35 € Prix pour 100+ 1,20 € Prix pour

    Pièce

    5+ 1,50 € 25+ 1,35 € 100+ 1,20 €

    Article restreint
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    Min: 5 Mult: 5
    Canal N - 50W - - TO-220 3Broche(s) 150°C CoolMOS Series -
    MMBD4148SE
    MMBD4148SE - Diode signaux faibles, Série double, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A

    1467563

    ON SEMICONDUCTOR - Diode signaux faibles, Série double, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A

    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit MMBD4 Series

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Diode signaux faibles, Série double, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A

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    18 571 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    5 880 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 18 000 sera/seront disponible(s) le 14/07/19
  • 9 000 sera/seront disponible(s) le 31/08/19
  • 9 000 sera/seront disponible(s) le 19/10/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 23/12/19

    Polarité transistor -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Dissipation de puissance Pd -
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit MMBD4 Series
    Normes Qualification Automobile -

    24 451

    5+ 0,212 € Prix pour 25+ 0,207 € Prix pour 100+ 0,0845 € Prix pour 250+ 0,078 € Prix pour 500+ 0,0599 € Prix pour 1000+ 0,0416 € Prix pour 5000+ 0,0366 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1467563
    1467563RL en Mise en bobine

    5+ 0,212 € 25+ 0,207 € 100+ 0,0845 € 250+ 0,078 € 500+ 0,0599 € 1000+ 0,0416 € 5000+ 0,0366 € Plus de tarifs

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    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - 3Broche(s) 150°C MMBD4 Series -
    AUIRGP50B60PD1
    AUIRGP50B60PD1 - Transistor simple IGBT, 75 A, 2.35 V, 390 W, 600 V, TO-247AC, 3 Broche(s)

    1864558

    INFINEON - Transistor simple IGBT, 75 A, 2.35 V, 390 W, 600 V, TO-247AC, 3 Broche(s)

    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 600V
    Dissipation de puissance Pd 390W
    Courant de collecteur DC 75A

    + Voir toutes les présentations de produits

    INFINEON 

    Transistor simple IGBT, 75 A, 2.35 V, 390 W, 600 V, TO-247AC, 3 Broche(s)

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    1 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    9 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 22/07/19

    Polarité transistor -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 600V
    Dissipation de puissance Pd 390W
    Courant de collecteur DC 75A
    Gain en courant DC hFE -
    Type de boîtier de transistor TO-247AC
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile AEC-Q101

    10

    1+ 7,86 € Prix pour 5+ 6,87 € Prix pour 10+ 5,87 € Prix pour 50+ 5,75 € Prix pour 100+ 5,64 € Prix pour 250+ 5,52 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    1+ 7,86 € 5+ 6,87 € 10+ 5,87 € 50+ 5,75 € 100+ 5,64 € 250+ 5,52 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    Min: 1 Mult: 1
    - 600V 390W 75A - TO-247AC 3Broche(s) 150°C - AEC-Q101

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