11.7A Transistors MOSFET Simple | Farnell® France

Trouvez une vaste gamme de 11.7A Transistors MOSFET Simple dans Farnell® France. Nous stockons une large gamme de Transistors MOSFET Simple, tels que 100A, 50A, 40A & 120A Transistors MOSFET Simple provenant des plus grands fabricants mondiaux, notamment : Onsemi, Nexperia & Diodes Inc..

Fabricant

Type de canal

Tension Drain-Source Vds

Courant de drain Id

Résistance Drain-Source à l'état-ON

Type de boîtier de transistor

Montage transistor

Tension de test Rds(on)

Tension de seuil Vgs Max

Dissipation de puissance

Nbre de broches

Température d'utilisation Max.

Qualification

Emballage

Filtre(s) appliqué(s)

Courant de drain Id

:

11.7A

1 Filtre(s) sélectionné(s)

Comparer					Prix pour		Quantité

	DMN2011UFDE-7	3680119 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	DIODES INC. MOSFET de puissance Canal N 20 V 11.7 A 0.0065 ohm U-DFN2020 Montage en surface		Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées	1+ 0,582 € 10+ 0,510 € 100+ 0,337 € 500+ 0,266 € 1000+ 0,243 € Plus de tarifs	Min : 1 / Mult : 1	Canal N	20V	11.7A	0.0065ohm	U-DFN2020	Montage en surface	4.5V	1V	1.97W	6Broche(s)	150°C	AEC-Q101
	DMN2011UFDE-7	3680119RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	DIODES INC. MOSFET de puissance Canal N 20 V 11.7 A 0.0065 ohm U-DFN2020 Montage en surface		Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	100+ 0,337 € 500+ 0,266 € 1000+ 0,243 € 5000+ 0,197 €	Min : 100 / Mult : 1	Canal N	20V	11.7A	0.0065ohm	U-DFN2020	Montage en surface	4.5V	1V	1.97W	6Broche(s)	150°C	AEC-Q101
	PXP018-30QLJ	3973728 Data Sheet RoHS	NEXPERIA MOSFET de puissance Canal P 30 V 11.7 A 0.018 ohm MLPAK33 Montage en surface		Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées	5+ 0,514 € 10+ 0,367 € 100+ 0,246 € 500+ 0,174 € 1000+ 0,149 €	Min : 5 / Mult : 5	Canal P	30V	11.7A	0.018ohm	MLPAK33	Montage en surface	10V	2.5V	4.2W	8Broche(s)	150°C	-
	PXP018-30QLJ	3973728RL Data Sheet RoHS	NEXPERIA MOSFET de puissance Canal P 30 V 11.7 A 0.018 ohm MLPAK33 Montage en surface		Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	100+ 0,246 € 500+ 0,174 € 1000+ 0,149 €	Min : 100 / Mult : 5	Canal P	30V	11.7A	0.018ohm	MLPAK33	Montage en surface	10V	2.5V	4.2W	8Broche(s)	150°C	-
	NTLJS17D0P03P8ZTAG	3616362 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	ONSEMI MOSFET de puissance Canal P 30 V 11.7 A 0.0113 ohm WDFN Montage en surface		Pièce (fournie en bobine complète) Bobine complète	3000+ 0,362 €	Min : 3000 / Mult : 3000	Canal P	30V	11.7A	0.0113ohm	WDFN	Montage en surface	10V	3V	2.4W	6Broche(s)	150°C	-
	NTTFS4C13NTWG	3616564 Data Sheet RoHS	ONSEMI MOSFET de puissance Canal N 30 V 11.7 A 0.0094 ohm WDFN Montage en surface		Pièce (fournie en bobine complète) Bobine complète	5000+ 0,210 €	Min : 5000 / Mult : 5000	Canal N	30V	11.7A	0.0094ohm	WDFN	Montage en surface	10V	2.1V	21.5W	8Broche(s)	150°C	-

Éléments par page :

1-6 sur 6 articles

sur 1 page(s)

Fabricants leaders

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nouveaux Semiconducteurs - Composants discrets