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IXFN48N60P
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 600 V, 0.14 ohm, 10V, 5,5 V, SOT-227B
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFN48N60P
Code Commande2674761
Gamme de produitPolarHV HiPerFET
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 24,820 € |
| 5+ | 22,340 € |
| 10+ | 16,900 € |
| 50+ | 16,310 € |
| 100+ | 15,720 € |
Prix pour :Pièce
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFN48N60P
Code Commande2674761
Gamme de produitPolarHV HiPerFET
Fiche technique
Polarité transistorCanal N
Type de canalCanal N
Courant de drain Id40A
Tension Vds max..600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.14ohm
Résistance Rds(on)0.14ohm
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5.5V
Dissipation de puissance Pd625W
Dissipation de puissance625W
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitPolarHV HiPerFET
SVHCLead (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
Polarité transistor
Canal N
Courant de drain Id
40A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.14ohm
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance Pd
625W
Température de fonctionnement max..
150°C
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Type de canal
Canal N
Tension Vds max..
600V
Résistance Rds(on)
0.14ohm
Tension de seuil Vgs Max
5.5V
Dissipation de puissance
625W
Gamme de produit
PolarHV HiPerFET
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.03