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IXFN360N15T2
Transistor MOSFET, Canal N, 310 A, 150 V, 0.004 ohm, 10 V, 5 V
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN360N15T2
Code Commande4060231
Gamme de produitGigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
Fiche technique
79 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 45,610 € |
| 5+ | 41,890 € |
| 10+ | 38,170 € |
| 50+ | 34,450 € |
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN360N15T2
Code Commande4060231
Gamme de produitGigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
Fiche technique
Type de canalCanal N
Courant de drain Id310A
Tension Vds max..150V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.004ohm
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance1070W
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitGigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension Vds max..
150V
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
1070W
Gamme de produit
GigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
Courant de drain Id
310A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.004ohm
Tension de seuil Vgs Max
5V
Température de fonctionnement max..
175°C
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits