HMC8413LP2FE

Le HMC8413 est en arséniure de gallium (GaAs), un circuit intégré hyperfréquence monolithique (MMIC), un transistor pseudomorphique haute mobilité électronique (pHEMT), un amplificateur large bande, faible bruit qui fonctionne de 0,01GHz à 9GHz. Le HMC8413 comporte des entrées et des sorties qui sont adaptées en interne à 50 ohms, ce qui en fait un composant idéal pour les applications radio micro-ondes haute capacité basées sur la technologie montée en surface (CMS). Les applications typiques sont l'instrumentation de test, les communications militaires, les radars militaires, les télécommunications.

• Bruit de 1,9dB (typ, VDD = 5V, IDQ = 95mA, TA = 25°C)
• Gamme de fréquence de 0,01 à 7GHz (VDD = 5V, IDQ= 95mA, TA = 25°C)
• Gain de 19,5dB (typ. VDD = 5V, IDQ = 95mA, TA = 25°C)
• Variation de gain en fonction de la température de 0,013 dB/°C typique à, VDD= 5V, IDQ= 95mA, TA = 25°C)
• Perte de retour d'entrée 15dB (typ, VDD = 5V, IDQ = 95mA, TA = 25°C)
• Perte de retour de sortie de 18dB (typ, VDD = 5V, IDQ = 95mA, TA = 25°C)
• Puissance de sortie pour une compression de 1dB de 21,5dBm (typ, VDD = 5V, IDQ = 95mA, TA = 25°C)
• L'interception de second ordre en sortie est de 39 dBm (typiquement, mesure prise à POUT par tonalité = 5 dBm)
• Efficacité de la puissance ajoutée (37% (mesurée à PSAT)
• Boîtier LFCSP 6 broches, Plage de température de -40°C à +85°C

Remarques

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