HMC8412TCPZ-EP-PT

Le HMC8412TCPZ-EP est un circuit intégré hyperfréquence monolithique (MMIC), Arséniure de gallium (GaAs), un transistor pseudomorphique à haute mobilité électronique (pHEMT), un amplificateur faible bruit. Ce composant comporte des entrées et des sorties qui sont adaptées en interne à 50 ohms, ce qui en fait un composant idéal pour les applications radio micro-ondes haute capacité basées sur la technologie montée en surface (CMS). Les applications typiques sont l'instrumentation de test, les télécommunications, les radars et communications militaires, la guerre électronique, l'aérospatiale.

• Alimentation positive unique (auto-polarisée), référentiel de fabrication contrôlé
• Prend en charge les applications de défense et aérospatiale (norme AQEC)
• 1 site d'assemblage/test, 1 site de fabrication, notification de changement de produit
• Gamme de fréquences de 0,4 à 3GHz (VDD=5V, courant d'alimentation (IDQ)=60mA, RBIAS=1,47Kohm et TA=25°C)
• Variation de gain en fonction de la température de 0,005dB/°C typ (VDD=5V, IDQ=60mA, RBIAS=1,47Kohm et TA=25°C)
• Gain de 15,5dB typique (VDD=5V, courant d'alimentation (IDQ)=60mA, RBIAS=1,47Kohm et TA=25°C)
• Efficacité de la puissance ajoutée (PAE) 28 % (mesurée à PSAT)
• Boîtier Lead Frame Chip Scale [LFCSP], 6 broches
• Plage de température de -55°C à +125°C

Remarques

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