HMC8411TCPZ-EP-PT

Le HMC8411TCPZ-EP est en arséniure de gallium (GaAs), un circuit intégré hyperfréquence monolithique (MMIC), un transistor pseudomorphique haute mobilité électronique (pHEMT), un amplificateur large bande, faible bruit qui fonctionne de 0,01GHz à 10GHz. Il fournit un gain typique de 15,5dB, un facteur de bruit de 1,7dB typique et une interception de troisième ordre de sortie (OIP3) de 34dBm typique, ne nécessitant que 55mA à partir d'une tension d'alimentation de 5V. Puissance de sortie saturée (PSAT) 19,5dBm typique permet à l'amplificateur faible bruit (LNA) de fonctionner comme un pilote d'oscillateur local (LO) pour de nombreux composants Analog Devices, Inc., équilibré, en phase/quadrature (I/Q) ou des mélangeurs de rejet d'image. Ce composant comporte des entrées et des sorties qui sont adaptées en interne à 50 ohms, ce qui en fait un composant idéal pour les applications radio microondes haute capacité basées sur la technologie montée en surface (CMS). Il est utilisé dans des applications telles que l'instrumentation de test, les communications militaires, etc.

• Gain élevé de 15,5dB typique à (0,01GHz à 1GHz, TA = 25°C)
• Facteur de bruit de 1,8dB typique à (0,01GHz à 1GHz, TA = 25°C)
• Point d'interception du troisième ordre de 33.5dBm typ à (0.01GHz à 1GHz, TA = 25°C)
• Puissance de sortie pour une compression pour 1dB de 20dBm typ. (0,01GHz - 1GHz, TA= 25°C)
• Puissance de sortie saturée 20,5dB typ à (0,01GHz - 1GHz, TA = 25°C)
• L'interception de deuxième ordre de sortie est de 43dBm à (0,01GHz à 1GHz, TA = 25°C)
• Perte de retour d'entrée 22dB typ à (0.01GHz à 1GHz, TA = 25°C)
• Perte de retour de sortie 17dB typ à (0,01GHz - 1GHz, TA = 25°C)
• Température d'utilisation de -55°C à +125°C
• Boîtier LFCSP, 6 broches

Remarques

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