HMC8073LP3DE

Le HMC8073LP3DE est un atténuateur numérique, pas numérique en silicium, 6 bits. Il est mis en œuvre dans un processus au silicium, offrant un temps de stabilisation rapide, une faible consommation d'énergie et une robustesse élevée en matière de décharge électrostatique (ESD). Le composant présente des transitions d'état sûres, permettant des changements d'état d'atténuation sans dépassement. Il est optimisé pour une excellente précision de pas, une puissance élevée et une linéarité élevée sur la plage de fréquence et de température de fonctionnement. L'entrée et la sortie fréquence radio (RF sont adaptées en interne à 50 ohms et ne nécessitent aucun composant d'adaptation externe. Conception bidirectionnelle, l'entrée et la sortie RF sont interchangeables. La fonction d'adresse externe du HMC8073 permet aux utilisateurs de contrôler jusqu'à huit DSA à l'aide d'un seul bus. Les applications comprennent l'infrastructure cellulaire, les radios micro-ondes, les terminaux à très petite ouverture, les équipements de test et les capteurs.

• Plage d'atténuation de 0,5dB par LSB pas à 31,5dB
• Perte de Insertion 1,1dB (typ, 6GHz à 1,0GHz, VDD = 5.0V, TA = 25°C)
• Précision d'atténuation étroite, inférieure à ±0,25dB (plus 3% de l'état d'atténuation)
• Courant d'alimentation de 0,3mA à VDD = 3,3V
• Faible erreur de déphasage: déphasage de 4° à 1,0GHz
• Utilisation bidirectionnelle: Gestion de puissance élevée de 30dBm
• Bloc DC interne sur les broches RFIN/RFOUT
• Haute linéarité, P1dB: 31dBm typique, entrée IP3: 52dBm typ.
• Transitions d'état sûres, interface série avec TTL/CMOS
• Boîtier LFCSP 16 broches, Plage de température de -40°C à +85°C

Remarques

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