HMC784AMS8GETR

Le HMC784AMS8GE est un commutateur SPDT haute puissance Il est utilisé dans les applications d'émission-réception qui nécessitent une très faible distorsion à des niveaux de puissance de signal d'entrée élevés. Ce composant peut contrôler les signaux de DC à 4GHz La conception offre des performances d'intermodulation exceptionnelles, <gt/> +60dBm d'interception de troisième ordre à une polarisation de +5V. RF1 et RF2 sont réfléchissants lorsqu'ils sont sur "OFF". Les circuits permettent un fonctionnement à alimentation positive unique de +3Vdc à +8Vdc à très faible courant continu avec des entrées de commande compatibles avec les familles logiques CMOS. Il est largement utilisé dans des applications telles que l'infrastructure cellulaire/4G, le WiMAX, le WiBro et le sans fil fixe, la télématique automobile, la radio mobile, les équipements de test, etc.

• Perte d'insertion de 0,3dB typique à (DC - 1GHz, TA = +25°C, Vctl = 0/Vdd, Vdd = +5V)
• Isolation de 28dB typique à (DC - 4GHz, TA = +25°C, Vctl = 0/Vdd, Vdd = +5V)
• Perte de retour (à l'état activé) 30dB typique à (DC - 1GHz, TA = +25°C, Vctl = 0/Vdd, Vdd = +5 V).
• Puissance d'entrée pour une compression pour 0,1dB de 31dBm typique à (1GHz - 4GHz, TA= +25°C)
• Interception de troisième ordre d'entrée de 61dBm typique à (0,02GHz - 0,1GHz, TA = +25°C)
• Caractéristique de commutation 82ns typique avec (DC - 4GHz, TA = +25°C, Vctl = 0/Vdd, Vdd = +5V)
• Température d'utilisation de -40°C à +85°C
• Boîtier MSOP8G

Remarques

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