HMC659LC5TR

Le HMC659LC5 est un amplificateur de puissance distribué GaAs MMIC pHEMT. Cet amplificateur fournit 19dB de gain, +35dBm de sortie IP3 et +5dBm de puissance de sortie à 1dB de compression de gain, tout en nécessitant 300mA à partir d'une alimentation +8V. La planéité du gain est excellente à ±1,4dB de DC à 15GHz, ce qui rend ce composant parfait pour les applications de guerre électronique, d'ECM, de radar et d'équipement de test. Les E/S de cet amplificateur sont adaptées en interne à 50 ohms sans composants externes. Il est compatible avec les techniques de fabrication en montage en surface pour grand volume. Il est utilisé dans des applications telles que l'infrastructure de télécommunications, la radio micro-ondes et VSAT, l'EW militaire, l'ECM et le l'instrumentation de test, la fibre optique, etc.

• Planéité du gain de ±0,7dB typique à (DC - 6GHz, TA = +25°C)
• Variation de gain en fonction de la température de 0,015 dB/°C typique à (DC - 6GHz, TA = +25°C)
• Perte de retour d'entrée 20dB typ à (DC - 6GHz, TA = +25°C)
• Perte de retour de sortie de 19dB typ à (DC - 6GHz, TA = +25°C)
• Puissance de sortie saturée (Psat) 28dBm typ à (DC - 6GHz, TA = +25°C)
• Facteur de bruit de 3dB typique à (DC - 6GHz, TA = +25°C)
• Température d'utilisation de -40°C à 85°C
• Boîtier QFN, 32 broches

Remarques

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