HMC509LP5ETR

Le HMC509LP5E est un transistor bipolaire à hétérojonction GaAs InGaP (HBT) MMIC VCO. Il intègre des résonateurs, des dispositifs à résistance négative, des diodes de réacteur et dispose d'une sortie à demi-fréquence. Les performances de bruit de phase du VCO sont excellentes en termes de température, de choc et de processus en raison de la structure monolithique de l'oscillateur. La puissance de sortie est de +13dBm typique à partir d'une tension d'alimentation de +5V. Il est largement utilisé dans des applications telles que la radio VSAT, la radio point à point/multipoint, les équipements de test et les contrôles industriels, l'utilisation finale militaire, etc.

• Double sortie: Fo = 7.8GHz - 8.8GHz, Fo/2 = 3.9GHz - 4.4GHz
• Aucun résonateur externe nécessaire
• Bruit de phase de -115dBc/Hz typique à (offset de 100KHz, Vtune= +5V à RFOUT)
• Tension ajustable de 2V à 13V
• Courant d'alimentation de 250mA typique à (TA = +25°C, Vcc = +5V)
• Courant de fuite du port de réglage 10µA typ à (TA = +25°C, Vcc = +5V)
• Perte de retour de sortie de 2dB typique à (TA à +25°C, Vcc = +5V)
• Taux de dérive de fréquence de 0,9MHz/°C typique à (TA = +25°C, Vcc = +5V)
• Température d'utilisation de -40°C à +85°C
• Boîtier QFN

Remarques

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