HMC508LP5E

Le HMC508LP5E est un transistor bipolaire à hétérojonction GaAs InGaP (HBT) VCO MMIC à faible bruit. Il intègre des résonateurs, des dispositifs à résistance négative, des diodes de réacteur et dispose d'une sortie à demi-fréquence. Les performances de bruit de phase du VCO sont excellentes en termes de température, de choc et de processus en raison de la structure monolithique de l'oscillateur. L'application comprend la radio VSAT, la radio point à point/multipoint, l'équipement de test et les contrôles industriels, l'utilisation finale militaire

• Aucun résonateur externe nécessaire
• Gamme de fréquence de 7.3 à 8.2GHz (Fo, TA=+25°C, Vcc=+5V)
• Plage de puissance de sortie de +12 à +17dBm (RFOUT, TA=+25° C, Vcc=+5V)
• Bruit de phase SSB à 100KHz offset, Vtune= +5V à RFOUT est -116dBc/Hz (TA=+25°C, Vcc=+5V)
• Tension d'utilisation de 2 à 13V (Vtune, TA = +25°C, VCC = +5V)
• Courant d'alimentation typique (Icc) de 240mA (Vcc=+5.0V, TA=+25°C, Vcc=+5V)
• Courant de fuite maximum du port de réglage (Vtune= 13V) de 10µA (Vcc=+5.0V, TA=+25°C, Vcc=+5V))
• Perte de retour de sortie typique 2dB, harmoniques/sous-harmoniques typiques de 40dBc (TA=+25°C, Vcc=+5V)
• Traction typique de 8MHz pp (dans un VSWR de 2,0:1), le taux de dérive de fréquence typique est de 1MHz /°C (TA = +25°C, Vcc = +5V)
• Boîtier QFN Montage en surface 32 broches, Plage de température de -40°C à +85°C

Remarques

Les produits ADI sont autorisés (et vendus) uniquement pour une utilisation par le client et ne doivent pas être revendus ou transmis d'aucune manière à une tierce partie.