HMC199AMS8E

Le HMC199AMS8E est un commutateur de dérivation GaAs double SPDT pour un usage général, faible coût couvrant le courant de DC jusqu'à 2,5GHz. Ces composants à quatre ports RF intègrent deux commutateurs SPDT et une ligne de passage sur un seul circuit intégré. Les conceptions offrent une faible perte d'insertion de moins de 0,5dB tout en commutant des composants de circuit externe passifs ou actifs dans et hors du chemin du signal. Les isolations port à port sont généralement de 25 à 30dB. Les circuits on-chip permettent un fonctionnement de contrôle de tension positive à des courants continus très faibles avec des entrées de contrôle compatibles avec CMOS et la plupart des familles logiques TTL. Les applications incluent la commutation LNA ou de dérivation de filtre et la commutation d'atténuateur à bit unique. Il est utilisé dans des applications telles que les stations de base cellulaires, ISM, PCS, etc.

• Perte d'insertion de 0,3dB typique à (DC - 1GHz, TA = +25°C, Vctl = 0/+ 5Vdc)
• Isolation de 25dB typique à (DC - 2GHz, TA = +25°C, Vctl = 0/+5Vdc)
• Perte de retour (à l'état actif, sur n'importe quel port) de 30dB typ. à (DC - 2GHz, TA = +25°C, Vctl = 0/+5 Vdc)
• Puissance d'entrée pour une compression de 1dB est de 28dBm typique à (0.5GHz à 2GHz, TA = +25°C, Vctl = 0/+5Vdc)
• Interception de troisième ordre d'entrée de 55dBm typique (0.5GHz à 2GHz,TA = +25°C, Vctl = 0/+5Vdc)
• Caractéristique de commutation de 20ns typique à (DC - 2.5GHz, TA = +25°C, Vctl = 0/+5Vdc)
• Température d'utilisation de -40°C à +85°C
• Boîtier MSOP8 ultra-small

Remarques

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