DS1230AB-100+

La DS1230AB-100+ est une SRAM 256K non-volatile, dans un boîtier EDIP, 28 broches. Il s'agit d'une SRAM 262 144 bits, entièrement statique et non volatile, organisée en 32 768 mots sur 8 bits. La NV SRAM possède une source d'énergie lithium autonome et des circuits de contrôle qui surveillent en permanence le VCC pour une condition hors tolérance. Lorsque cette situation se produit, la source d'énergie au lithium est automatiquement activée et la protection en écriture est activée de manière inconditionnelle pour éviter la corruption des données Ce composant peut être utilisé à la place des RAM statiques 32K x 8 existantes, directement grâce au boîtier DIP 28 broches. Le boîtier DIP a un brochage équivalent aux EEPROM 28256 ce qui permet une substitution directe tout en améliorant les performances. Ce composant est un module bas profil, spécialement conçu pour les applications en montage en surface. Il n'y a pas de limite sur le nombre de cycles d'écriture qui peuvent être exécutés et aucun circuit de support supplémentaire n'est nécessaire pour interfacer un microprocesseur.

• Tension d'alimentation de 4,75V à 5,25V
• Température d'utilisation de 0°C à 70°C
• Remplace une RAM statique volatile 32K x 8, une EEPROM ou une mémoire flash
• Cycles d'écriture illimités
• CMOS faible consommation
• Temps d'accès lecture et écriture de 100ns
• La source d'énergie au lithium est déconnectée électriquement pour conserver sa charge jusqu'à la première mise sous tension

Avertissements

La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.

Remarques

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