ADRF5023BCCZN

L'ADRF5023 est un interrupteur unipolaire bidirectionnel (SPDT) non réfléchissant fabriqué selon le procédé au silicium. Nécessite une alimentation positive de 3,3V et une alimentation négative de −3,3V Le composant utilise des commandes compatibles transistor métal-oxyde-semi-conducteur complémentaire (CMOS)/transistor basse tension vers logique transistor (LVTTL). Il peut également fonctionner avec une seule tension d'alimentation positive (VDD) appliquée tandis que la tension d'alimentation négative (VSS) est liée à la terre. Dans cette condition de fonctionnement, les performances des petits signaux sont maintenues tandis que les caractéristiques de commutation, la linéarité et les performances de gestion de puissance sont déclassées. L'application comprend les tests et l'instrumentation, les ondes millimétriques de l'infrastructure cellulaire 5G, les radios militaires, les radars et les contre-mesures électroniques (ECM), les radios micro-ondes et les terminaux à très petite ouverture (VSAT) et les scanners industriels.

• Gamme de fréquence de 0,009 à 45000MHz (VDD = 3,3V, VSS= -3.3V, TCASE = 25°C)
• Perte d'insertion de 0,9dB typique (9kHz à 18GHz, entre RFC et RF1/RF2, TCASE = 25°C)
• Perte de réflexion de 20dB typique (9kHz à 18GHz, RFC et RF1/RF2 (activés), TCASE = 25°C)
• Temps de montée et descente de 0,5μs typique (10% à 90% de la sortie RF, TCASE = 25°C)
• Compression de puissance à 0,1dB de 31dBm typique (f= 1MHz à 40GHz, VDD = 3,3V, VSS = −3,3V, TCASE = 25°C)
• Courant d'alimentation positif de 150µA typique (VDD = 3,3V, VSS = −3,3V, TCASE = 25°C)
• Plage de tension d'alimentation positive de 3,15 à 3,45V (VDD = 3,3V, VSS = −3,3V, TCASE = 25°C)
• Path max. de 30dBm (signal RF appliqué au RFC ou via RF1/RF2 connecté)
• Commutation à chaud maximale de 30dBm (signal RF est appliqué au RFC lors de la commutation entre RF1/RF2)
• Boîtier LGA 20 broches, plage de température de -40°C à +85°C

Remarques

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