ADL8102ACPZN

Le ADL8102ACPZN est en arséniure de gallium (GaAs), un circuit intégré hyperfréquence monolithique (MMIC), un transistor pseudomorphique haute mobilité électronique (pHEMT), un amplificateur large bande, faible bruit qui fonctionne de 1GHz à 22GHz. Il fournit un gain typique de 27dB entre 9GHz et 19GHz, un facteur de bruit de 2,5dB entre 9GHz et 19GHz, une interception de troisième ordre de sortie typique (OIP3) de 25dBm entre 1GHz et 9GHz et une puissance de sortie saturée (PSAT) allant jusqu'à 15,5dBm, ce qui nécessite seulement 110mA à partir d'une tension d'alimentation de 5V. Il comporte des entrées et des sorties adaptées en interne à 50 ohms. Les broches RFIN et RFOUT sont couplées en interne en courant alternatif et l'inductance de polarisation est également intégrée, ce qui la rend idéale pour les applications radio micro-ondes haute capacité basées sur la technologie montée en surface (SMT). Il est également utilisé dans des applications telles que les télécommunications, les communications par satellite, les radars militaires, les radars météorologiques, les radars civils et la guerre électronique.

• Alimentation positive simple (auto-polarisée)
• Variation de gain en fonction de la température de 0.053dB/°C typique à (TCASE = 25°C)
• Bruit de 3dB typique à (1GHz à 9GHz, TCASE = 25°C)
• Perte de retour d'entrée 15dB typique (1GHz à 9GHz, TCASE = 25°C)
• Perte de retour de sortie de 18dB typique à (1GHz à 9GHz, TCASE = 25°C)
• 6,5% d'efficacité énergétique ajoutée typique à (1GHz à 9GHz, TCASE = 25°C)
• Courant d'alimentation (IDQ) 110mA typique
• Puissance de sortie saturée 15.5dBm typ à (1GHz - 9GHz, TCASE = 25°C)
• Point d'interception du second ordre (OIP2) de 32dBm typ. à (1GHz - 9GHz, TCASE = 25°C)
• Température d'utilisation de -40°C à +85°C, LFCSP, 16 broches

Remarques

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