AS7C513B-12TCN

L'AS7C513B-12TCN est une SRAM 5V 32K×16 CMOS Il s'agit d'un dispositif de mémoire vive statique (SRAM) CMOS 524 288 bits hautes performances 5V organisé en 32 768 mots de 16 bits. Elle est conçue pour les applications de mémoire où un accès rapide aux données, une faible consommation d'énergie et une interface simple sont souhaités. Les temps d'accès et de cycle d'adresse égaux (tAA, tRC, tWC) de 10/12/15/20 ns avec des temps d'accès d'activation de sortie (tOE) de 5, 6, 7, 8 ns sont idéaux pour les applications hautes performances. La puce avec entrée CE active-bas permet une extension facile de la mémoire avec des systèmes de mémoire à plusieurs banques. L'appareil fournit plusieurs broches d'alimentation centrale et de terre, ainsi que des commandes d'activation d'octets séparées, permettant l'écriture et la lecture d'octets individuels. LB actif-bas contrôle les bits inférieurs, I/O0 – I/O7, et UB actif-bas contrôle les bits supérieurs, I/O8 – I/O15.

• Broches d'alimentation centrale et de terre
• Haute vitesse, temps d'accès d'adresse 10/12/15/20ns, temps d'accès d'activation de sortie 5, 6, 7, 8ns
• Faible consommation d'énergie, 605mW/max à 10ns (actif), 55mW/max CMOS (veille)
• Technologie CMOS 6T 0,18u
• Extension de mémoire facile avec les entrées CE actif à l'état bas OE actif à l'état bas
• E/S trois états compatibles TTL et CMOS
• Boîtiers standard JEDEC 44 broches
• Protection ESD ≥ 2000volts, courant latch-up ≥ 200mA
• Temps d'accès 12ns, boîtier TSOP 2
• Plage de température commerciale de 0 à 70°C