AS4C8M16SA-6TAN

La SDRAM AS4C8M16SA-6TAN 128Mo est une DRAM synchrone CMOS haute vitesse contenant 128Mbits. Il est configuré en interne comme 4 banques de 2M mots x 16 DRAM avec une interface synchrone (tous les signaux sont enregistrés sur le front positif du signal d'horloge, CLK). Les accès en lecture et écriture à la SDRAM sont orientés Burst; Les accès commencent à un emplacement sélectionné et continuent pour un nombre d'emplacements programmé dans une séquence programmée. Les accès commencent par l'enregistrement d'une commande BankActivate qui est ensuite suivie d'une commande de lecture ou d'écriture. Une fonction de précharge automatique peut être activée pour fournir une précharge de ligne auto-chronométrée qui est initiée à la fin de la séquence de rafale. Les fonctions de rafraîchissement, qu'elles soient automatiques ou auto-rafraîchissantes, sont faciles à utiliser. Grâce à un registre de modes programmables, le système peut choisir les modes les plus adaptés pour maximiser ses performances. Elle est parfaitement adaptée aux applications nécessitant une bande passante mémoire élevée et particulièrement bien adapté aux applications PC hautes performances.

• Temps d'accès rapide depuis l'horloge: 5ns, fréquence d'horloge rapide: 166MHz
• Conforme AEC-Q100, 2M mots x 16 bits x 4-banques
• Fonctionnement entièrement synchrone, architecture pipeline interne
• Registres mode programmable, latence CAS: 2 ou 3, durée de la rafale: 1, 2, 4, 8, ou page complète
• Type de rafale: séquentielle ou entrelacée, fonction d'arrêt de rafale
• Rafraîchissement automatique et auto-rafraîchissement, 4096 cycles de rafraîchissement/32ms
• Mode de mise hors tension CKE, Interface LVTTL
• Alimentation +3.3V ±0.3V
• Boîtier TSOPII 54 broches
• Plage de température automobile de -40 à 105°C