AS4C32M16SB-7BIN

La SDRAM AS4C32M16SB-7BIN 512Mo est une DRAM synchrone CMOS haute vitesse contenant 512Mbits. Il est configuré en interne comme 4 banques de 8M mots x 16 DRAM avec une interface synchrone (tous les signaux sont enregistrés sur le front positif du signal d'horloge, CLK). Les accès en lecture et écriture à la SDRAM sont orientés Burst; Les accès commencent à un emplacement sélectionné et continuent pour un nombre d'emplacements programmé dans une séquence programmée. Les accès commencent par l'enregistrement d'une commande d'activation de banque qui est ensuite suivie d'une commande de lecture ou d'écriture. Une fonction de précharge automatique peut être activée pour fournir une précharge de ligne auto-chronométrée qui est initiée à la fin de la séquence de rafale. Les fonctions de rafraîchissement, qu'elles soient automatiques ou auto-rafraîchissantes, sont faciles à utiliser. Grâce à un registre de modes programmables, le système peut choisir les modes les plus adaptés pour maximiser ses performances. Elle est parfaitement adaptée aux applications nécessitant une bande passante mémoire élevée et particulièrement bien adapté aux applications PC hautes performances.

• Fonctionnement entièrement synchrone, Architecture pipeline interne, 8M mots x 16 bits x 4 banques
• Registres mode programmable, latence CAS: 2 ou 3, durée de la rafale: 1, 2, 4, 8, ou page complète
• Type de rafale: séquentielle ou entrelacée, fonction d'arrêt de rafale
• Rafraîchissement automatique et auto-rafraîchissement, 8192 cycles de rafraîchissement/64ms
• Mode de mise hors tension CKE, Alimentation +3,3V ±0,3V
• Interface LVTTL
• Fréquence 143MHz
• Boîtier FBGA 54 billes
• Température industrielle de -40°C à 85°C