AS4C16M16SB-6BIN

L'AS4C16M16SB-6BIN est une SDRAM (DRAM synchrone) 16M x 16 bits Il s'agit d'une DRAM synchrone CMOS haute vitesse contenant 256Mbits. Il est configuré en interne comme 4 banques de 4M mots x 16 DRAM avec une interface synchrone (tous les signaux sont enregistrés sur le front positif du signal d'horloge, CLK). Les accès en lecture et écriture à la SDRAM sont orientés Burst; Les accès commencent à un emplacement sélectionné et continuent pour un nombre d'emplacements programmé dans une séquence programmée. Les accès commencent par l'enregistrement d'une commande BankActivate qui est ensuite suivie d'une commande de lecture ou d'écriture. Elle permet des longueurs de rafale de lecture ou d'écriture programmables de 1, 2, 4, 8 ou page entière, avec une option de terminaison de rafale. Une fonction de précharge automatique peut être activée pour fournir une précharge de ligne auto-chronométrée qui est initiée à la fin de la séquence de rafale. Elle est parfaitement adaptée aux applications nécessitant une bande passante mémoire élevée et particulièrement bien adapté aux applications PC hautes performances.

• Fonctionnement entièrement synchrone, architecture pipeline interne
• 4M mot de 16 bits x 4 banques, rafraîchissement automatique et auto-rafraîchissement
• Registres mode programmable, latence CAS: 2 ou 3, durée de la rafale: 1, 2, 4, 8, ou page complète
• Type de rafale: séquentielle ou entrelacée, fonction d'arrêt de rafale
• 8192 cycles de rafraîchissement/64ms, mode de mise hors tension CKE
• Alimentation +3.3V ±0.3V
• Interface LVTTL
• Fréquence 166MHz
• Boîtier FBGA 54 billes
• Température industrielle de -40°C à 85°C