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NSL-19M51
LDR, 20 Mohms, 50 mW, 100 V, TO-18
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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
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10+ | 0,749 € |
25+ | 0,738 € |
50+ | 0,728 € |
100+ | 0,717 € |
500+ | 0,650 € |
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Informations produit
FabricantADVANCED PHOTONIX
Réf. FabricantNSL-19M51
Code Commande3168335
Fiche technique
Tension100V
Résistance d'obscurité Min.20Mohm
Plage de résistance à la lumière5kohms
Boîtier du capteurTO-18
Nbre de broches2Broche(s)
Type de boîtier de résistanceTO-18
Puissance50mW
Température d'utilisation min-60°C
Température d'utilisation Max.75°C
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2019)
Aperçu du produit
Le NSL 19M51 d'Advanced Photonix est une cellule photoconductive CdS en boîtier plastique céramique TO-18 encapsulé résistant à l'humidité.
- Résistance lumineuse maximum de 100kohm at 10lux
- Résistance d'obscurité de 20Mohm
- Dissipation de puissance à 25°C de 50mW
- Tension nominale (crête AC ou DC) de 100V
- Température d'utilisation de -60°C à 75°C
- Longueur d'onde crête spectrale de 550nm
Spécifications techniques
Tension
100V
Plage de résistance à la lumière
5kohms
Nbre de broches
2Broche(s)
Puissance
50mW
Température d'utilisation Max.
75°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2019)
Résistance d'obscurité Min.
20Mohm
Boîtier du capteur
TO-18
Type de boîtier de résistance
TO-18
Température d'utilisation min
-60°C
Gamme de produit
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NSL-19M51
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85334010
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Non
SVHC :No SVHC (15-Jan-2019)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000272