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BPW34
Photodiode, 65 °, 2 nA, 900 nm, DIP-2
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| 1+ | 1,060 € |
| 10+ | 0,628 € |
| 25+ | 0,572 € |
| 50+ | 0,515 € |
| 100+ | 0,459 € |
| 500+ | 0,407 € |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantBPW34
Code Commande1045425
Fiche technique
Nbre de broches2Broche(s)
Type de boîtier de diodeDIP
Longueur d'onde de la sensibilité crête900nm
Angle, moitié65°
Courant d'obscurité2nA
Température d'utilisation min-40°C
Température d'utilisation Max.100°C
Gamme de produit-
Normes Qualification Automobile-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
La BPW34 est une photodiode PIN silicium à haute vitesse et haute sensibilité de rayonnement dans un boîtier plastique transparent, plat et miniature. Elle est sensible aux rayonnements visibles et quasi-infrarouges.
- Zone sensible aux rayonnements : 7.5mm²
- Haute photo-sensibilité
- Haute photo-sensibilité
- Convient pour rayonnement visible et quasi-infrarouge
- Temps de réponse rapide
- Angle de demi-sensibilité de 65°
Spécifications techniques
Nbre de broches
2Broche(s)
Longueur d'onde de la sensibilité crête
900nm
Courant d'obscurité
2nA
Température d'utilisation Max.
100°C
Normes Qualification Automobile
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Type de boîtier de diode
DIP
Angle, moitié
65°
Température d'utilisation min
-40°C
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001608