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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPHR8504PL1,LQ(M
Code Commande3872557
Egalement appeléTPHR8504PL1 ,TPHR8504PL1,LQ
Fiche technique
6 702 En Stock
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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
5+ | 6,800 € |
50+ | 5,010 € |
250+ | 3,600 € |
1000+ | 3,050 € |
3000+ | 2,820 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
34,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPHR8504PL1,LQ(M
Code Commande3872557
Egalement appeléTPHR8504PL1 ,TPHR8504PL1,LQ
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id150A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0007ohm
Type de boîtier de transistorSOP
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.4V
Dissipation de puissance210W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
150A
Type de boîtier de transistor
SOP
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
210W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0007ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.4V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits