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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPH3R10AQM,LQ(M1
Code Commande3976769
Egalement appeléTPH3R10AQM1, TPH3R10AQM,LQ
Fiche technique
1 409 En Stock
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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
5+ | 7,790 € |
50+ | 5,030 € |
250+ | 3,420 € |
1000+ | 3,180 € |
3000+ | 2,950 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
38,95 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPH3R10AQM,LQ(M1
Code Commande3976769
Egalement appeléTPH3R10AQM1, TPH3R10AQM,LQ
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..100V
Courant de drain Id120A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0025ohm
Type de boîtier de transistorSOP Advance
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.5V
Dissipation de puissance210W
Nombre de broches8Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
120A
Type de boîtier de transistor
SOP Advance
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
210W
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
Tension Vds max..
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0025ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3.5V
Nombre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits