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TK155A65Z,S4X(S
MOSFET de puissance, Canal N, 650 V, 18 A, 0.13 ohm, TO-220SIS, Traversant
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK155A65Z,S4X(S
Code Commande3977670
Egalement appeléTK155A65Z ,TK155A65Z,S4X
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 4,240 € |
| 10+ | 4,180 € |
| 100+ | 2,110 € |
| 500+ | 1,740 € |
| 1000+ | 1,670 € |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK155A65Z,S4X(S
Code Commande3977670
Egalement appeléTK155A65Z ,TK155A65Z,S4X
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..650V
Courant de drain Id18A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.13ohm
Type de boîtier de transistorTO-220SIS
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance40W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
18A
Type de boîtier de transistor
TO-220SIS
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
40W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Vds max..
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.13ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002
Traçabilité des produits