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Quantité | Prix (hors TVA) |
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1+ | 0,764 € |
10+ | 0,546 € |
100+ | 0,462 € |
500+ | 0,394 € |
1000+ | 0,352 € |
2500+ | 0,349 € |
5000+ | 0,345 € |
Informations produit
Aperçu du produit
Le LM358N/NOPB de Texas Instruments est un double amplificateur, fonctionnement basse puissance, de la série LM158 dans un boîtier DIP, 8 broches. Le LM158 est constitué de deux amplificateurs indépendants, compensé en fréquence avec un gain élevé. Il est conçu spécifiquement pour fonctionner à partir d'une alimentation unique sur une large gamme de tension. Il présente des caractéristiques uniques, comme en mode linéaire, une plage de tension en mode commun d'entrée comprend la masse et la tension de sortie peut également basculer vers la masse même si elle n'est exploitée qu'à partir d'une seule tension d'alimentation, la fréquence croisée du gain unitaire est compensée en température et l'entrée le courant de polarisation est également compensé en température. Généralement utilisé sur les filtres actifs, pour le conditionnement et l'amplification générale de signaux et pour les transmetteurs de boucle de courant de 4-20 mA.
- Fréquence compensée en interne pour gain unitaire
- Gain de tension DC élevé : 100dB
- Large bande passante (gain unitaire): 1MHz
- Alimentation simple: 3V à 32V
- Faible tension d'offset d'entrée : 2mV
- Gamme de tension d'entrée différentielle égale à la tension d'alimentation
- Large ondulation de tension de sortie
- Permet une détection directe proche de GND et VOUT va également à GND
- Compatible avec toutes les formes de logique
- Drain de puissance compatible avec un fonctionnement sur batterie
Avertissements
Le dispositif intègre une protection ESD limitée, les pistes doivent être court-circuitées ou le composant placé dans de la mousse conductrice pendant le stockage ou la manipulation afin d'éviter tout dommage électrostatique sur les portes MOS.
Remarques
Le dispositif intègre une protection ESD limitée, les pistes doivent être court-circuitées ou le composant placé dans de la mousse conductrice pendant le stockage ou la manipulation afin d'éviter tout dommage électrostatique sur les portes MOS.
Spécifications techniques
1MHz
3V à 32V
8Broche(s)
0°C
-
-
DIP
1MHz
0.1V/µs
0.1V/µs
DIP
Basse consommation
70°C
-
No SVHC (27-Jun-2018)
-
2 amplificateurs
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit