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FabricantTEXAS INSTRUMENTS
Réf. FabricantCSD19536KCS .
Code Commande2419498
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
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Informations produit
FabricantTEXAS INSTRUMENTS
Réf. FabricantCSD19536KCS .
Code Commande2419498
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id150A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0023ohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance375W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Aperçu du produit
The CSD19536KCS is a 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET, designed to minimize losses in power conversion applications, low thermal resistance and avalanche rated.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low thermal resistance
- Halogen-free
Applications
Gestion d'alimentation, Contrôle Moteur
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
150A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
375W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0023ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
Compute Module 3+ Series
MSL
-
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002825