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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,986 € |
| 10+ | 0,961 € |
| 50+ | 0,937 € |
| 100+ | 0,912 € |
| 250+ | 0,888 € |
| 500+ | 0,863 € |
| 1000+ | 0,839 € |
| 2500+ | 0,814 € |
Informations produit
Aperçu du produit
Le CD74HCT367E est un buffer 3 états CMOS à grille silicium doté de sorties de courant de commande élevées qui permettent un fonctionnement à grande vitesse même lors de la commande de grandes capacités de bus. Le circuit buffer non inverseur et inverseur à haute vitesse à usage général possède la faible dissipation de puissance des circuits CMOS, tout en ayant des vitesses comparables à celles des circuits Schottky TTL à faible puissance. Le circuit est capable de piloter jusqu'à 15 entrées Schottky de faible puissance. Le CD74HCT367 est un buffer non inverseur. Ce composant a deux validations de sortie, une validation (OE1) contrôle 4 portes et l'autre (OE2) contrôle les 2 portes restantes. La famille logique HCT367 est compatible avec la vitesse, la fonction et le brochage de la famille logique LS standard.
- Entrées bufferisées
- Sorties driver de de bus à courant élevé
- Deux commandes d'activation indépendantes, 3 états
- Retard de propagation et temps de transition équilibrés
- Réduction de puissance significative par rapport aux circuits logiques LSTTL
- Compatibilité logique d'entrée directe LSTTL, VIL = 0,8V maximum, VIH = 2V minimum
- Compatibilité entrée CMOS, Il≤ 1µA à VOL, VOH
- Délai de propagation typique tPLH, tPHL = 8ns à VCC =5V, CL = 15pF, TA = 25°C
- Sorties standard - 10 charges LSTTL
- Sorties driver de bus - 15 charges LSTTL
- Produit écologique, sans Sb/Br
Spécifications techniques
Mémoire tampon, non inverseur
DIP
16Broche(s)
5.5V
74367
125°C
-
No SVHC (27-Jun-2018)
74HCT367
DIP
4.5V
74HCT,
-55°C
0
-
Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit