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STP65N045M9
MOSFET de puissance, Canal N, 650 V, 55 A, 0.039 ohm, TO-220, Traversant
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP65N045M9
Code Commande4064205
Gamme de produitMDmesh M9 Series
Fiche technique
50 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 7,140 € |
| 5+ | 7,130 € |
| 10+ | 7,120 € |
| 50+ | 6,250 € |
| 100+ | 5,870 € |
| 250+ | 5,750 € |
Prix pour :Pièce
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP65N045M9
Code Commande4064205
Gamme de produitMDmesh M9 Series
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id55A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.039ohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.7V
Dissipation de puissance245W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitMDmesh M9 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
55A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
245W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.039ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
3.7V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
MDmesh M9 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0019