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BDX33C
Transistor Darlington, Darlington, NPN, 100 V, 70 W, 10 A, TO-220, 3 Broche(s)
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantBDX33C
Code Commande9946489
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|---|---|
| 1+ | 1,240 € |
| 10+ | 0,782 € |
| 100+ | 0,517 € |
| 500+ | 0,402 € |
| 1000+ | 0,365 € |
| 5000+ | 0,295 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantBDX33C
Code Commande9946489
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo100V
Dissipation de puissance Pd70W
Courant de collecteur DC10A
Boîtier de transistor RFTO-220
Nbre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE750hFE
Montage transistorTraversant
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
Le BDX33C est un transistor Darlington de puissance silicium complémentaire NPN avec technologie planaire épitaxiale intégrée. Conçu pour les applications de commutation et de puissance linéaire
- Complément des BDX34C
- Courant de base de 0,25A
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Dissipation de puissance Pd
70W
Boîtier de transistor RF
TO-220
Gain en courant DC hFE
750hFE
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
100V
Courant de collecteur DC
10A
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BDX33C
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002