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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantBD135
Code Commande9801529
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max45V
Courant Collecteur Continu1.5A
Dissipation de puissance1.25W
Type de boîtier de transistorTO-126
Montage transistorTraversant
Nbre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition-
Gain de courant DC hFE Min.250hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le BD135 est un transistor NPN basse tension construit en technologie plane épitaxiale. Conçu pour les amplificateurs et les drivers audio en utilisant des circuits complémentaires ou Quasi complémentaires.
- Complément des BD136
- Courant de base de 0,5A
- Résistance thermique jonction/boîtier de 10°C/W
- Résistance thermique jonction/air ambiant de 100°C/W
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Courant Collecteur Continu
1.5A
Type de boîtier de transistor
TO-126
Nbre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
250hFE
Gamme de produit
-
MSL
-
Tension Collecteur Emetteur Max
45V
Dissipation de puissance
1.25W
Montage transistor
Traversant
Fréquence de transition
-
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :India
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :India
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00064
Traçabilité des produits