Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | 90,410 € |
5+ | 83,890 € |
10+ | 76,230 € |
50+ | 73,460 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
90,41 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM75GB12V
Code Commande2423706
Fiche technique
Polarité transistorDouble canal N
Configuration IGBTDemi-pont
Courant Collecteur Continu114A
Courant de collecteur DC114A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.85V
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.85V
Dissipation de puissance-
Dissipation de puissance Pd-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.2kV
Température de jonction Tj Max.175°C
Température d'utilisation Max.175°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTGoujon
Nbre de broches7Broche(s)
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Technologie IGBTV-IGBT
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
Aperçu du produit
Le SKM75GB12V est un module IGBT SEMITRANS® 2 destiné à être utilisé avec des convertisseurs de fréquence et des fers à souder électroniques. Il comporte une plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC (liaison directe au cuivre) et une capacité de cycle d'alimentation accrue.
- Commutateur Demi-pont
- V-IGBT = Trench V-IGBT de 6ème génération (Fuji)
- CAL4 = Diode CAL de 4ème génération à commutation logicielle
- Résistance de porte intégrée
- Pertes de commutation plus faibles à di/dt élevé
- Reconnu UL (numéro de fichier E63532)
Spécifications techniques
Polarité transistor
Double canal N
Courant Collecteur Continu
114A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.85V
Dissipation de puissance
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.2kV
Température d'utilisation Max.
175°C
Borne IGBT
Goujon
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Montage transistor
Panneau
Configuration IGBT
Demi-pont
Courant de collecteur DC
114A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.85V
Dissipation de puissance Pd
-
Température de jonction Tj Max.
175°C
Type de boîtier de transistor
Module
Nbre de broches
7Broche(s)
Technologie IGBT
V-IGBT
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SKM75GB12V
1 produit trouvé
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Slovak Republic
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Slovak Republic
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.18
Traçabilité des produits