Imprimer la page
SKM150GB12V
Module IGBT, Demi-pont, 231 A, 1.75 V, 175 °C, Module
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
14 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 149,130 € |
| 5+ | 141,700 € |
| 10+ | 134,380 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
149,13 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM150GB12V
Code Commande2423689
Fiche technique
Polarité transistorDouble canal N
Configuration IGBTDemi-pont
Courant Collecteur Continu231A
Courant de collecteur DC231A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.75V
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.75V
Dissipation de puissance Pd-
Dissipation de puissance-
Température, Tj max..175°C
Température de fonctionnement max..175°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.2kV
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTGoujon
Nombre de broches7Broche(s)
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Technologie IGBTV-IGBT
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
Aperçu du produit
Le SKM150GB12V est un module IGBT SEMITRANS® 2 destiné à être utilisé avec des convertisseurs de fréquence et des fers à souder électroniques. Il comporte une plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC (liaison directe au cuivre) et une capacité de cycle d'alimentation accrue.
- Commutateur Demi-pont
- V-IGBT = Trench V-IGBT de 6ème génération (Fuji)
- CAL4 = Diode CAL de 4ème génération à commutation logicielle
- Résistance de porte intégrée
- Pertes de commutation plus faibles à di/dt élevé
- Reconnu UL (numéro de fichier E63532)
Spécifications techniques
Polarité transistor
Double canal N
Courant Collecteur Continu
231A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.75V
Dissipation de puissance Pd
-
Température, Tj max..
175°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.2kV
Borne IGBT
Goujon
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Montage transistor
Panneau
Configuration IGBT
Demi-pont
Courant de collecteur DC
231A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.75V
Dissipation de puissance
-
Température de fonctionnement max..
175°C
Type de boîtier de transistor
Module
Nombre de broches
7Broche(s)
Technologie IGBT
V-IGBT
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Slovak Republic
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Slovak Republic
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.18
Traçabilité des produits