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HT8KB5TB1
MOSFET double, Canal double N, 40 V, 12 A, 0.047 ohm
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,360 € |
| 10+ | 0,873 € |
| 100+ | 0,617 € |
| 500+ | 0,494 € |
| 1000+ | 0,431 € |
| 5000+ | 0,373 € |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantHT8KB5TB1
Code Commande4263610
Fiche technique
Type de canalCanal double N
Tension Drain Source Vds, Canal N40V
Tension drain source Vds, Canal P-
Courant de drain continu Id, Canal N12A
Courant de drain continu Id, Canal P-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.047ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P-
Type de boîtier de transistorHSMT
Nombre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P13W
Dissipation de puissance, Canal P-
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal double N
Tension drain source Vds, Canal P
-
Courant de drain continu Id, Canal P
-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
-
Nombre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
-
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Tension Drain Source Vds, Canal N
40V
Courant de drain continu Id, Canal N
12A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.047ohm
Type de boîtier de transistor
HSMT
Dissipation de puissance Canal P
13W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00002
Traçabilité des produits