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NDS352AP
MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 900 mA, 0.3 ohm, SuperSOT, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,682 € |
| 50+ | 0,424 € |
| 100+ | 0,273 € |
| 500+ | 0,208 € |
| 1500+ | 0,187 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
3,41 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDS352AP
Code Commande9846395
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id900mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.3ohm
Type de boîtier de transistorSuperSOT
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.7V
Dissipation de puissance500mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
900mA
Type de boîtier de transistor
SuperSOT
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
500mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.3ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.7V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000035
Traçabilité des produits