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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1000+ | 0,700 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQPF7P20
Code Commande3368829
Gamme de produitQFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds200V
Courant de drain Id5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.54ohm
Type de boîtier de transistorTO-220F
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance45W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitQFET
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
5A
Type de boîtier de transistor
TO-220F
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
45W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
200V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.54ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
QFET
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002
Traçabilité des produits