FDT439N

Le FDT439N est un transistor à effet de champ à mode d'enrichissement canal N, 30V, produit en utilisant exclusivement la technologie DMOS et cellule haute densité. Ce processus très haute densité est spécialement conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, fournir des performances de commutation supérieures. Il est bien adapté aux applications à basse tension et à faible courant. Le MOSFET UniFET™ offre une famille de MOSFET haute tension basée sur la technologie avancée de bande plane et DMOS. De plus, la diode ESD grille-source interne permet au MOSFET UniFET II de résister à une surtension HBM de plus de 2 kV. Cela convient aux applications de conversion de puissance telles que la correction du facteur de puissance (PFC), l'alimentation TV à écran plat (FPD), l'ATX et les ballasts de lampes électroniques. Ce produit est recommandé pour un usage général et convient à de nombreuses applications différentes.

• Amélioration de la perte de commutation
• Perte de conduction plus faible
• Testé à 100% contre les avalanches
• Énergie stockée plus petite dans les caractéristiques dynamiques
• Une performance de charge de grille inférieure (Qg)
• Fiabilité du système améliorée dans les topologies PFC et de commutation logicielle