Imprimer la page
FDC6321C
MOSFET double, Canal N et P, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
8 625 En Stock
3 000 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison EXPRESS le jour ouvré suivant
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,879 € |
| 50+ | 0,512 € |
| 100+ | 0,350 € |
| 500+ | 0,270 € |
| 1500+ | 0,244 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
4,40 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6321C
Code Commande9844848
Fiche technique
Type de canalCanal N et P
Tension Drain Source Vds, Canal N25V
Tension drain source Vds, Canal P25V
Courant de drain continu Id, Canal N680mA
Courant de drain continu Id, Canal P460mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.45ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P1.1ohm
Type de boîtier de transistorSuperSOT
Nbre de broches6Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P900mW
Dissipation de puissance, Canal P900mW
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The FDC6321C is a dual N/P-channel Digital FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. The device is an improved design especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several digital transistors with difference bias resistors.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N et P
Tension drain source Vds, Canal P
25V
Courant de drain continu Id, Canal P
460mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
1.1ohm
Nbre de broches
6Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
900mW
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
25V
Courant de drain continu Id, Canal N
680mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.45ohm
Type de boîtier de transistor
SuperSOT
Dissipation de puissance Canal P
900mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000113
Traçabilité des produits