Imprimer la page
BSS123
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Montage en surface
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
564 388 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,367 € |
| 50+ | 0,255 € |
| 100+ | 0,145 € |
| 500+ | 0,0874 € |
| 1500+ | 0,0755 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
1,84 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBSS123
Code Commande9845321
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id170mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON1.2ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.7V
Dissipation de puissance360mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le BSS123 de Fairchild est transistor à effet de champ logique canal N mode de perfectionnement de niveau en boîtier SOT-23. Ce produit est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en fournissant une performance de commutation robuste, fiable et rapide : ainsi les BSS138 sont adaptés pour les applications à faible tension et faible intensité comme les petites commandes de moteur servo, les pilotes de grille MOSFET de puissance et d'autres applications de commutation.
- Tension Drain/Source (Vds) de 100V
- Tension Grille-Source de ±20V
- Faible résistance à l'état ON de 1.2ohm avec Vgs 10V
- Courant drain continu de 170mA
- Dissipation de puissance 360mW max.
- Plage de température de jonction de -55°C à 150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
170mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
360mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1.2ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.7V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BSS123
8 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000036
Traçabilité des produits