2N7002
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,475 € |
| 10+ | 0,262 € |
| 100+ | 0,167 € |
| 500+ | 0,163 € |
| 1000+ | 0,151 € |
| 5000+ | 0,111 € |
Informations produit
Aperçu du produit
Le 2N7002 est un transistor à effet de champ à mode d'enrichissement canal N produit en utilisant exclusivement la technologie DMOS et cellule haute densité. Il minimise la résistance à l'état passant tout en offrant une performance de commutation rapide fiable et robuste. Il peut être utilisé dans la plupart des applications nécessitant jusqu'à 400 mA en courant continu et peut fournir jusqu'à 2A en courant pulsé Convient pour des applications faible courant, faible tension, telles que les drivers de porte MOSFET de puissance et le contrôle de petits moteurs servo.
- Conception avec cellule haute densité pour un faible RDS (on)
- Haute capacité de courant de saturation
- Commutateur à petits signaux contrôlé en tension
- Robuste et fiable
Spécifications techniques
Canal N
115mA
SOT-23
10V
200mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
60V
1.2ohm
Montage en surface
2.1V
3Broche(s)
-
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
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RoHS
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Certificat de conformité du produit